[发明专利]具有不同厚度的堆叠金属层

说明书

本发明提供具有不同厚度的堆叠金属层。更具体的，本发明涉及一种半导体芯片，其包含多个堆叠导电层。所述多个堆叠导电层包含第一导电层、第二导电层，以及第三导电层。所述第一导电层安置于所述第二导电层的第一侧上。所述第三导电层安置于所述第二导电层的第二侧上。所述第二导电层具有比所述第一导电层和所述第三导电层的厚度厚的厚度。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体的，涉及具有不同厚度的堆叠金属层。

背景技术

电路阵列包含布置成行和列的单元，包含例如各自耦合到一行单元的行金属线和各自耦合到一列单元的列金属线。对单元进行存取涉及通过所述行金属线和列金属线中的一者启用所述单元，且使数据通过所述行金属线和列金属线中的另一者。

举例来说，对于静态随机存取存储器(SRAM)宏，所述SRAM宏中的每一单元包含存储装置、第一存取装置和第二存取装置。所述存储装置经配置有存储节点和互补存储节点。所述第一存取装置耦合于所述存储节点与位线之间且由字线处的信号控制。所述第二存取装置耦合于所述互补存储节点与互补位线之间且由所述字线处的信号控制。所述字线包含沿着一行单元延伸的金属线。所述位线和互补位线包含沿着一列单元延伸的对应金属线。当存取所述SRAM宏中的单元时，字线上的信号启用所述行单元以用于存取。以此方式，所述单元的第一存取装置和第二存取装置接通以使得对应位线和互补位线耦合到对应存储节点和互补存储节点。此外，待写入数据或读取的数据沿着选定列的单元的位线和互补位线传递到经启用以用于存取的单元中的对应存储节点和互补存储节点，或从所述对应存储节点和互补存储节点传递。

发明内容

根据本发明一实施例的半导体芯片包括：多个堆叠导电层，其中该多个堆叠导电层包括：第一导电层、第二导电层和第三导电层。其中，第一导电层安置于第二导电层的第一侧上；第三导电层安置于第二导电层的第二侧上；且第二导电层具有比第一导电层和第三导电层的厚度厚的厚度。

根据本发明另一实施例的半导体芯片，其中多个堆叠导电层进一步包括位于第二导电层的第二侧上的第四导电层；第二导电层包括第一金属线；且第四导电层未耦合到第一金属线。其中，多个堆叠导电层进一步包括位于第二导电层的第二侧上的第四导电层；第二导电层包括第一金属线；且第四导电层包括与第一金属线平行延伸且耦合到第一金属线的第二金属线。

根据本发明又一实施例的半导体芯片，进一步包括：第一多个单元，其中第二导电层包括耦合到第一多个单元的第一金属线；第一多个单元属于单元阵列；且第一多个单元跨越单元阵列的第一尺寸而定位。其中，第一金属线耦合到第一多个单元中的每一单元的每一栅极结构。其中，第一多个单元中的每一单元包括FinFET；该FinFET包括：鳍结构；以及栅极结构，其横穿鳍结构且包围鳍结构的一部分；栅极结构大体上平行于第一金属线延伸。其中第一多个单元中的每一单元耦合到电力供应节点；第三导电层包括第二金属线；且电力供应节点包括第二金属线的一部分。

本发明还提供阵列单元包括：第一导电线、第二导电线、存储装置以及第一存取装置。存储装置，经配置有至少存储节点和电力供应节点；第一存取装置，其经配置以响应于第二导电线处的信号线将第一导电线耦合到存储节点；其中第一导电线包括第一导电层中的第一金属线的一部分；第二导电线包括第二导电层中的第二金属线的一部分，其中第一导电层安置于第二导电层的第一侧上；电力供应节点包括第三导电层中的第三金属线的一部分，其中第三导电层安置于第二导电层的第二侧上；且第二导电层具有比第三导电层的厚度厚一因数的厚度。