[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510969631.9 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448835B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 松本光市 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/49;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其包括：
第一晶体管，其包括(a)第一金属栅极电极，所述第一金属栅极电极至少包括第一金属层和第二金属层，(b)第一侧壁间隔部，以及(c)偏移间隔部，所述偏移间隔部位于所述第一金属栅极电极的侧壁和所述第一侧壁间隔部之间；以及
第二晶体管，其包括(a)第二金属栅极电极，所述第二金属栅极电极至少包括第一金属层和第二金属层，以及(b)第二侧壁间隔部，其中
所述第一晶体管和所述第二晶体管每一者均包括鳍型场效应晶体管，并且所述第一金属栅极电极、所述第二金属栅极电极和所述偏移间隔部布置于所述鳍型场效应晶体管的沟道部上，
在所述第一晶体管和所述第二晶体管的下部，在所述第一金属栅极电极的所述侧壁与对应的所述第一侧壁间隔部之间的距离大于所述第二金属栅极电极的侧壁与对应的所述第二侧壁间隔部之间的距离，
所述第一金属栅极电极的所述侧壁的第一侧壁与邻近所述第一侧壁的所述第一侧壁间隔部之间的距离在所述第一侧壁的顶部处小于在所述第一侧壁的底部处，且
所述偏移间隔部的高度小于所述第一金属栅极电极的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第二晶体管进一步包括位于所述第二金属栅极电极的所述侧壁和所述第二侧壁间隔部之间的偏移间隔部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管的导电类型与所述第二晶体管的导电类型不同。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一晶体管为P型场效应晶体管；并且
所述第二晶体管为N型场效应晶体管。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一侧壁间隔部包括多个层；并且
所述第二侧壁间隔部包括多个层。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述偏移间隔部包含氮化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属栅极电极的所述栅极长度小于所述第二金属栅极电极的所述栅极长度。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在栅极纵长方向上所述第一侧壁间隔部之间的距离等于在所述栅极纵长方向上所述第二侧壁间隔部之间的距离。
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