[发明专利]一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法

权利要求书

1.一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）胺基化聚合物基体材料的制备：向聚合物溶液中加入胺基化无机氧化物纳米颗粒， 超声分散均匀后重铸成膜，制得胺基化聚合物基体材料；

（2）纳米金颗粒修饰的胺基化基体表面制备：将步骤（1）制备的胺基化聚合物基体材料 置于纳米金溶胶溶液中浸渍，使纳米金颗粒沉积，取出基体材料，用去离子水小心清洗，去 除未与胺基配位的纳米金离子，获得纳米金颗粒修饰的胺基化基体；

（3）苯胺单体在纳米金修饰基体上的定向自组装：将步骤（2）所制备的纳米金颗粒修饰 的胺基化基体浸渍于4-胺基对苯硫酚的乙醇溶液中，浸渍时间不少于8h，使得4-胺基对苯 硫酚与纳米金颗粒充分反应，随后取出基体，用乙醇小心清洗，除去未与金配位的4-胺基对 苯硫酚；

（4）聚苯胺阵列修饰聚合物膜的制备：常温下，将步骤（3）所制备的基体置于苯胺和酒 石酸的混合溶液中，逐渐滴加与混合溶液等体积的过硫酸铵水溶液，滴加完后保持一定时 间，即得到聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列。

2.根据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在 于：该方法用于在所述聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列，所述聚合物薄膜是指阴离子 聚合物薄膜或者中性聚合物薄膜中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征 在于：所述聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、Nafion、磺化聚醚醚酮、聚甲基丙烯酸中 的一种。

4.根据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在 于：步骤（1）所述的无机氧化物是二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、氧化铝中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在 于：步骤（1）所述无机氧化物纳米颗粒与聚合物的质量比为10：90～50：50。

6.根据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在 于：步骤（2）所述的纳米金溶胶浓度为1mg/ml~20mg/ml；所述沉积时间为5min~1h。

7.根据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在 于：步骤（3）所述的4-胺基对苯硫酚的乙醇溶液中，4-胺基对苯硫酚的浓度为0.2mg/ml~ 2mg/ml。

8.根据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在 于：步骤（4）所述的混合溶液中苯胺的浓度为0.02mM~0.2mM，酒石酸与苯胺的浓度比为1： 2。

9.据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在于： 步骤（4）所述过硫酸铵与苯胺的浓度比为1：1。

10.据权利要求1所述的一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法，其特征在 于：步骤（4）所述滴加完毕后的保持时间为20min~4h。