[发明专利]一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法在审
申请号: | 201510970169.4 | 申请日: | 2015-12-22 |
公开(公告)号: | CN105585729A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 袁定胜;张海宁 | 申请(专利权)人: | 广东南海普锐斯科技有限公司 |
主分类号: | C08J7/16 | 分类号: | C08J7/16;C08J7/12;C08J5/18;C08L33/12;C08L27/18;C08L29/04;C08L33/02;C08L61/16;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/36;C08K3/22;C08G73/02;H0 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 刘媖;沈悦涛 |
地址: | 528251 广东省佛山市南海区桂城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚合物 薄膜 表面 原位 生长 苯胺 阵列 方法 | ||
技术领域
本发明属于新材料领域,具体涉及一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方 法。
背景技术
电极材料在电化学反应以及基于电化学反应的器件如电化学传感器、燃料电池、 电解水等领域被广泛应用。目前,针对电化学反应器件所用电极材料通常为导电材料负载 贵金属催化剂。例如,在电化学传感器和燃料电池中普遍采用碳载铂作为电极材料。然而, 贵金属如铂等资源稀缺、价格昂贵。在非贵金属电催化剂材料的性能和寿命未能满足电化 学器件要求的情况下,贵金属电催化剂仍然是电化学器件用电催化材料的首选。因此,在保 证性能和寿命的前提下,降低贵金属催化剂在电化学器件中的用量是目前该领域研发的一 个重要方向。而通过将电极材料的有序化则是降低贵金属催化剂用量较为有效的方法。
理论计算表明(Sunetal.,FuelCells,2015,15,456):采用有序电极可以 有效提高电化学反应器件运行时的电催化反应效率,降低浓差极化,可以在保证器件性能 满足要求的条件下有效降低贵金属催化剂的用量。因此,有序电极的研发收到了关注并取 得了一定的效果:美国3M公司最先申请并公开了一种有序化铂电极的专利 (US2006039543W),其主要以有机染料小分子为起始原料,通过高真空、高温升华处理使染 料分子有序排列形成有序载体,继而把贵金属Pt催化剂沉积到所形成的有序载体上制备有 序电极,实现贵金属载量的大幅度降低,该项专利技术已经在质子交换膜燃料电池中得到 了应用;中国发明专利(CN101682034A、CN102769140A)分别公开了燃料电池用有序电极的 设计和制备专利,其主要通过将贵金属催化剂纳米粒子沉积到磁性材料表面,在强磁场作 用下使磁性材料有序排列进而制备有序电极;中国发明专利申请(CN104716340A)公开了一 种采用模板法制备有序电极的技术路线,即通过贵金属催化剂在预制备的模板的沉积和随 后的去除模板技术制备具有自支撑能力的有序电极。上述发明专利所提到的技术方案不但 需要特殊的专用设备(高真空升华设备、强磁场等),而且其有序载体的电子传导能力较差, 因而难以普遍应用。
聚苯胺是一种具有共轭结构的导电性的高分子,因此可以作为催化剂的载体而应 用于电化学反应器件的电极材料。目前,有序化的聚苯胺阵列主要是采用模板法(王臻等, 高等学校化学学报,2002,23,721等)和电化学聚合方法(高艳新等,电化学,2012,18,51等) 进行制备。采用模板法的缺点在于工艺繁琐,而且去除模板后如何将聚苯胺阵列有效转移 到聚合物电解质膜表面以及阵列结构的稳定保持具有很大的不可控性;采用电化学聚合的 主要劣势在于聚苯胺阵列必须在导电材料表面制备,而且制备电压微小的波动会影响到所 制备材料的可重复性,因而限制了其广泛应用。
发明内容
为解决现有技术的缺点和不足之处,本发明的目的在于提供一种通过定向化学聚 合在聚合物表面原位制备聚苯胺阵列的方法。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:一种聚合物薄膜表面原位生长 聚苯胺阵列的方法,包括以下步骤:
(1)胺基化聚合物基体材料的制备:向聚合物溶液中加入胺基化无机氧化物纳米颗粒, 超声分散均匀后重铸成膜,制得胺基化聚合物基体材料;
(2)纳米金颗粒修饰的胺基化基体表面制备:将步骤(1)制备的胺基化聚合物基体材料 置于纳米金溶胶溶液中浸渍,使纳米金颗粒沉积一定时间,取出基体材料,用去离子水小心 清洗,去除未与胺基配位的纳米金离子,获得纳米金颗粒修饰的胺基化基体;
(3)苯胺单体在纳米金修饰基体上的定向自组装:将步骤(2)所制备的纳米金颗粒修饰 的胺基化基体浸渍于4-胺基对苯硫酚(4-ATP)的乙醇溶液中,浸渍时间不少于8h,使得4- ATP与纳米金颗粒充分反应,随后取出基体,用乙醇小心清洗,除去未与金配位的4-ATP;
(4)聚苯胺阵列修饰聚合物膜的制备:常温下,将步骤(3)所制备的基体置于苯胺和酒 石酸的混合溶液中,逐渐滴加与混合溶液等体积的过硫酸铵水溶液,滴加完后保持一定时 间,即得到聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列。
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