[发明专利]一种霍山石斛茎段快速繁殖方法

权利要求书

1.一种霍山石斛茎段快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)外植体的准备

将外植体用流水冲洗干净，然后在无菌操作台上用75％的酒精浸泡外植体30秒，再用 0.1％升汞溶液灭菌8～15分钟，然后用无菌水冲洗3～5次，取无菌滤纸吸去外植体表面的水 分，在无菌条件下，切成至少带一个茎节的茎段；

(2)诱导培养

将茎段接种于无菌的诱导培养基中，诱导培养基配方为：N6+2.5mg/L6-BA+0.75％琼脂+ 3％蔗糖+8％椰汁+0.4％活性炭，pH值为5.4～5.9；培养条件为温度25℃、光照时间12小时/ 天、光强度1200～1800Lux，培养30～35天后，茎段上长出小芽；

(3)增殖培养

将新芽转接到芽增殖培养基中，芽增殖培养基的配方为：N6+2.5mg/L6-BA+1.5％琼脂 +4％蔗糖+10％椰汁，pH值为5.4～5.8；培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度 1200～1800Lux，培养30～40天后，形成原球茎；将原球茎转接于原球茎增殖培养基中，原球 茎增殖培养基的配方为：N6+1.5mg/L6-BA+1.2mg/LNAA+1.5％琼脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+ 0.2％蛋白胨+10％椰汁+0.1％活性炭，培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度 1200～1800Lux，培养30～40天后，形成无根小苗；

(4)生根壮苗培养

将无根小苗转接到生根壮苗培养中，生根壮苗培养基的配方为：N6+2.5mg/LNAA+1.5％ 琼脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+10％土豆汁+0.2％蛋白胨+0.1％活性炭，培养条件为温度25℃、光 照时间12小时/天、光强度1200～1800Lux，培养40～50天后出苗。

2.根据权利要求1所述的霍山石斛茎段快速繁殖方法，其特征在于，所述步骤(1)中， 选择品质优良、生长健壮、茎节明显、无病虫害的一年生霍山石斛茎段为外植体。