[发明专利]一种霍山石斛茎段快速繁殖方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种霍山石斛茎段快速繁殖方法，属于植株培育技术领域。

背景技术

霍山石斛俗称米斛，是兰科石斛属的草本植物，中国国家地理标志产品，主产于大别山 区的安徽省霍山县，大多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天古树上，生于山地林 中树干上和山谷岩石上。霍山石斛能大幅度提高人体内SOD(延缓衰老的主要物质)水平， 对经常熬夜、用脑、烟酒过度，体虚乏力的人群，经常饮用非常适宜。霍山石斛有明目作用， 也能调和阴阳、壮阳补肾、养颜驻容，从而达到保健益寿的功效。

霍山石斛的生长条件极为苛刻，属于国家濒临灭绝的珍稀名贵中药材，是国家野生药材 二级保护品种。在野生状态下，霍山石斛繁殖速率低、生长缓慢，加之掠夺性采挖，使其野 生资源日益减少，远远不能满足国内外市场经济发展和临床医学的需要。石斛种苗价格昂贵， 导致栽培成本高，经济效益低，这些问题长期困扰着石斛种植户。霍山石斛的茎段是霍山石 斛的体细胞胚，具有和植株同样的物质代谢和形态发育潜能，可用来代替原药材生产相关的 活性物质。因此，研究高效、实惠的霍山石斛茎段的快速繁殖技术至关重要，这一举措可实 现霍山石斛的规模化生产、缓解野生资源紧张的局面、满足药材市场的需求具有重要意义。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种既能保持母体的优良性状、又能实现快速繁殖的霍山石斛 茎段快速繁殖方法。

为了实现上述发明目的，本发明提供如下技术方案：

一种霍山石斛茎段快速繁殖方法，包括以下步骤：

(1)外植体的准备

将外植体用流水冲洗干净，然后在无菌操作台上用75％的酒精浸泡外植体30秒，再用 0.1％升汞溶液灭菌8～15分钟，然后用无菌水冲洗3～5次，取无菌滤纸吸去外植体表面的水 分，在无菌条件下，切成至少带一个茎节的茎段；

(2)诱导培养

将茎段接种于无菌的诱导培养基中，诱导培养基配方为：N6+2.5mg/L6-BA+0.75％琼脂+ 3％蔗糖+8％椰汁+0.4％活性炭，pH值为5.4～5.9；培养条件为温度25℃、光照时间12小时/ 天、光强度1200～1800Lux，培养30～35天后，茎段上长出小芽；

(3)增殖培养

将新芽转接到芽增殖培养基中，芽增殖培养基的配方为：N6+2.5mg/L6-BA+1.5％琼脂 +4％蔗糖+10％椰汁，pH值为5.4～5.8；培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度 1200～1800Lux，培养30～40天后，形成原球茎；将原球茎转接于原球茎增殖培养基中，原球 茎增殖培养基的配方为：N6+1.5mg/L6-BA+1.2mg/LNAA+1.5％琼脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+ 0.2％蛋白胨+10％椰汁+0.1％活性炭，培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度 1200～1800Lux，培养30～40天后，形成无根小苗；

(4)生根壮苗培养

将无根小苗转接到生根壮苗培养中，生根壮苗培养基的配方为：N6+2.5mg/LNAA+1.5％ 琼脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+10％土豆汁+0.2％蛋白胨+0.1％活性炭，培养条件为温度25℃、光 照时间12小时/天、光强度1200～1800Lux，培养40～50天后出苗。

优选地，步骤(1)中，选择品质优良、生长健壮、茎节明显、无病虫害的一年生霍山石 斛茎段为外植体。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提供了一种霍山石斛茎段快速繁殖方法，取材容易且不受季节限制，以芽生芽的 茎段培养方式，发生过程简单，能较好的保持母本的生物学性状，从而保证霍山石斛的药用 价值；本繁殖方法简单易行，解决了霍山石斛无性繁殖中外植体灭菌不充分，原球茎分化慢， 繁殖周期长，生产成本高等技术难题；本发明可在实际生产中进行，可为霍山石斛的种植发 展提供保障，具有较好的经济效益和社会效益。

具体实施方式

下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施， 给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

实施例1

一种霍山石斛茎段快速繁殖方法，包括以下步骤：

(1)外植体的准备