[发明专利]OLED显示面板及其制作方法在审
申请号: | 201510974051.9 | 申请日: | 2015-12-22 |
公开(公告)号: | CN105590954A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 李振伟;陈红 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
像素,每个所述像素包括三个子像素;
平坦化层(201);
阳极电极层(202),形成在该平坦化层(201)上,该阳极电极层(202)包括相 互间隔的多个阳极电极(202a),每个阳极电极(202a)与一个子像素对应;
像素限定层(203),形成在该平坦化层(201)上并位于每个子像素的周围;
隔离柱体层(204),形成在该像素限定层(203)上,该隔离柱体层(204)包括 相互间隔的多个隔离柱体(204a),该隔离柱体(204a)形成在该像素限定层(203) 的上表面且位于相邻子像素之间,相邻子像素之间设置的隔离柱体(204a)数量 为至少两个,相邻隔离柱体(204a)之间形成凹槽(204b);
OLED公共层(205),形成在该隔离柱体层(204)上并覆盖该隔离柱体层 (204)、该像素限定层(203)和该阳极电极层(202);
阴极辅助层(207),形成在该OLED公共层(205)上,该阴极辅助层(207) 包括多个辅助导电条(207a),该辅助导电条(207a)嵌入该OLED公共层(205) 内且分别与相邻隔离柱体(204a)之间的凹槽(204b)相对应设置;
阴极电极层(208),形成在该OLED公共层(205)上并与该阴极辅助层(207) 电连接;
有机发光层(206),形成在该阳极电极层(202)与该阴极电极层(208)之间。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,每个子像素的 四侧均分别设置有至少两个隔离柱体(204a)。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,每个子像素的 相对两侧分别设置有至少两个隔离柱体(204a),每个子像素的另外相对两侧未 设置隔离柱体(204a)。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,该辅助导电条 (207a)在横向和竖向上与相邻隔离柱体(204a)之间的凹槽(204b)对应设置而形 成相互交连的网格状。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,该辅助导电条 (207a)在横向或竖向上与相邻隔离柱体(204a)之间的凹槽(204b)对应设置。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,各个隔离柱体 (204a)在每个子像素的周围是间隔设置的。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,该像素限定层 (203)同时覆盖该平坦化层(201)和每个阳极电极(202a)的四周边缘部分,该像 素限定层(203)在与每个阳极电极(202a)中部相对应的位置形成有凹口(203a), 该有机发光层(206)形成在该像素限定层(203)的对应凹口(203a)中。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,该OLED公 共层(205)包括空穴注入层(205a)、空穴传输层(205b)、电子传输层(205c)和电 子注入层(205d),其中该空穴注入层(205a)和该空穴传输层(205b)依次形成在 该隔离柱体层(204)上,该有机发光层(206)形成在该空穴传输层(205b)上,该 电子传输层(205c)和该电子注入层(205d)依次形成在该有机发光层(206)上。
9.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,该制作方法用于制作 如权利要求1至8任一项所述的OLED显示面板,并包括如下步骤:
在该平坦化层(201)上制作形成该阳极电极层(202);
在该平坦化层(201)上制作形成该像素限定层(203);
在该像素限定层(203)上制作形成该隔离柱体层(204);
在该隔离柱体层(204)上制作形成该OLED公共层(205)和该有机发光层 (206);
在该OLED公共层(205)上制作形成该阴极辅助层(207);
在该OLED公共层(205)和该阴极辅助层(207)上制作形成该阴极电极层 (208)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的