[发明专利]OLED显示面板及其制作方法在审
申请号: | 201510974051.9 | 申请日: | 2015-12-22 |
公开(公告)号: | CN105590954A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 李振伟;陈红 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及OLED显示面板的技术领域,特别是涉及一种OLED显示面 板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管OLED(OrganicLight-EmittingDiode)是主动发光器件, 具有高对比度、广视角、低功耗、响应速度快、体积更薄以及可柔性化等特 点,受到了越来越多的关注,有望成为下一代主流平板显示技术,是目前平 板显示技术中受到关注最多的技术之一。
有源矩阵有机发光器件(ActiveMatrixOrganicLightingEmittingDisplay, AMOLED),是利用薄膜晶体管(TFT)搭配电容存储信号来控制OLED像素的 亮度和灰阶表现。AMOLED具有可大尺寸化、较省电、高解析度、面板寿命 较长等特点,因此在显示技术领域得到了高度重视。
如图1所示,现有OLED显示面板的结构包括层叠设置在衬底基板100 上的像素电路层101、平坦化层102、阳极电极层103、空穴注入层(HIL)104、 空穴传输层(HTL)105、有机发光层(EML)106、电子传输层(ETL)107、电子注 入层(EIL)108及阴极电极层109。像素电路层101主要包括薄膜晶体管(TFT)、 与TFT相连的电路(扫描线、数据线等)以及存储电容器。阳极电极层103穿 过平坦化层102后与像素电路层101中的驱动TFT电性连接。
OLED显示面板按照以下原理产生光:对像素电路层101施加电信号后, 从阳极电极层103朝向有机发光层106注入的空穴移动到有机发光层106, 从阴极电极层109朝向有机发光层106注入的电子也移动到有机发光层106, 空穴和电子在有机发光层106中结合以形成激子,当激子从激发态变化到基 态时会发射光子,从而产生光。
在OLED显示面板的制作过程中,一般会利用蒸镀掩膜板通过蒸镀工艺, 将已汽化的有机材料蒸镀到阳极电极层上,在阳极电极层上制作形成OLED 器件的各有机功能层,形成红、绿、蓝三色子像素。在蒸镀有机材料层如HIL、 HTL时,由于有机材料迁移率较大等特性,容易发生相邻像素之间出现横向 导电,导致出现关不断现象(即点亮某一单色子像素时,相邻其他两种颜色子 像素也会微亮)。
AMOLED显示面板具有两种结构,一种是底发光结构,仅仅朝底部基板发射光,另一种是顶发光结构,朝顶部非基板侧发射光。由于用于控制各个像素的TFT布置在有机发光器件下面,所以顶发光OLED结构具有更大的开口率,越来越多的OLED面板采用顶发光结构。然而在顶发光OLED面板中,阴极通常由Mg、Ag等金属形成,为了保证出光率,要求阴极透光率较高,因此阴极一般比较薄,顶发光OLED面板的阴极厚度通常只有阴极偏薄时电阻偏大,会造成IR压降(即阴极的电阻导致的电压降),不利于制作大尺寸AMOLED;而阴极的膜厚加厚时又会影响透过率,尤其会降低蓝光器件的发光效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板及其制作方法,以缓解OLED 公共层的有机材料横向导电导致的单色关不断现象,以及降低阴极阻抗。
本发明实施例提供一种OLED显示面板,包括:
像素,每个所述像素包括三个子像素;
平坦化层;
阳极电极层,形成在该平坦化层上,该阳极电极层包括相互间隔的多个 阳极电极,每个阳极电极与一个子像素对应;
像素限定层,形成在该平坦化层上并位于每个子像素的周围;
隔离柱体层,形成在该像素限定层上,该隔离柱体层包括相互间隔的多 个隔离柱体,该隔离柱体形成在该像素限定层的上表面且位于相邻子像素之 间,相邻子像素之间设置的隔离柱体数量为至少两个,相邻隔离柱体之间形 成凹槽;
OLED公共层,形成在该隔离柱体层上并覆盖该隔离柱体层、该像素限 定层和该阳极电极层;
阴极辅助层,形成在该OLED公共层上,该阴极辅助层包括多个辅助导 电条,该辅助导电条嵌入该OLED公共层内且分别与相邻隔离柱体之间的凹 槽相对应设置;
阴极电极层,形成在该OLED公共层上并与该阴极辅助层电连接;
有机发光层,形成在该阳极电极层与该阴极电极层之间。
进一步地,每个子像素的四侧均分别设置有至少两个隔离柱体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的