[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510974155.X | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106910709B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 王亮;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有CMOS器件，在所述CMOS器件的层间介电层中形成有接触开口，以露出所述半导体衬底；
步骤S2：在所述层间介电层上、露出的所述半导体衬底上以及所述接触开口的侧壁上形成屏蔽层，在形成所述屏蔽层的同时或者之后对所述屏蔽层进行等离子处理，以使所述屏蔽层致密化；
步骤S3：在所述接触开口中填充导电材料，以形成电连接,所述导电材料选用金属钨，选用WF6作为原料沉积所述金属钨；
在所述方法中重复所述步骤S2至少3次，以得到具有目标厚度的所述屏蔽层，并且每层屏蔽层之间原子的排布取向并不相同，降低后续WF6气体穿过的几率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中每一次形成的所述屏蔽层的厚度为。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层选用TiN。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，选用N2和/或H2等离子进行所述处理，以使所述屏蔽层致密化。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，其中所述接触开口位于所述栅极结构的一侧。
6.一种如权利要求1至5之一所述方法制备得到的半导体器件。
7.一种电子装置，包括权利要求6所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510974155.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：智能鼠标垫
- 下一篇：装饰线条面板灯（直接和间接照明多光效1）
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
