[发明专利]一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法在审
申请号: | 201510974647.9 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105575865A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 冯建炜;沈家敏 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李阳 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 刻蚀 薄片 机台 手臂 结构 改造 方法 | ||
1.一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造,包括机台本体 和用于抓取及传递晶片的手臂,所述手臂活动安装所述台本体上,所述手臂的 前端部分安装有弧形卡位块,其特征在于:所述手臂的前端呈U型,所述手臂 的U型两侧与所述弧形卡位块的两端齐平且位于晶片的边缘位置,还包括一感 应晶片的传感器,所述传感器固定在所述手臂U型的敞开边缘处,所述手臂U 型两侧的前端和所述手臂U型的中间均固定一防滑片。
2.根据权利要求1所述的一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结 构改造,其特征在于:所述传感器为光纤传感器,所述传感器与所述机台本体 通信连接。
3.根据权利要求2所述的一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结 构改造,其特征在于:所述防滑片为中空皮碗,所述中空皮碗朝上设置。
4.根据权利要求3所述的一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结 构改造,其特征在于:所述手臂的U型两侧均呈长条形且宽度与所述中空皮碗 的直径相同。
5.根据权利要求4所述的一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结 构改造,其特征在于:所述手臂上设有两个螺纹孔,所述卡位块上设有两个定 位孔,所述卡位块通过螺丝固定在所述手臂上,所述定位孔的长度大于所述螺 纹孔的直径。
6.一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的改造方法,其特征在于: 包括以下步骤:
(1)手臂形状设计:保持原有的U型状,增加手臂U型槽深度,加大U 型两侧距离,将取片位置设置在晶片的边缘位置,减少与晶片接触面积,以避 免抓取或放置晶片有蹭到甚至直接撞击晶片;
(2)设计一根光纤传感器,利用光纤传感器从下往上射出镭射光以检测晶 片,检测信号接入机台原控制电路;
(3)电路改造:利用机台原有的真空系统输出信号控制光纤传感器的检测 周期,实现机台原有的检测功能;
(4)重新设计晶片卡位块:增加卡位块上螺丝孔的长度,以便调节位置, 方便不同晶片传送位置的调整;
(5)在手臂U型两侧前端固定中空皮碗,从而减小晶片的接触面积,增 加摩擦防止传送过程中滑片,皮碗中空设计能够防止吸力太强将晶片吸破。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司,未经苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510974647.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体衬底、器件及其制造方法
- 下一篇:基板处理设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造