[发明专利]一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法

说明书

技术领域

本发明涉及深硅机台手臂的改造，尤其涉及一种适用于深硅刻蚀后薄片的 深硅机台手臂的结构改造及改造方法。

背景技术

深硅机台传送通过真空吸取，该机台产品为深硅刻蚀前后晶片(wafer)，刻 蚀后的被刻蚀区域为20微米，真空会将晶片吸破，导致感测器无法感测到晶片。 晶片(三四百微米)较正常片薄(六七百微米)，某些产品片在刻蚀前后晶片有翘 曲现象，手臂抓取晶片时会有蹭到，导致粘片。另外，信号方面，关闭真空后 晶片检测系统无法进行检测，机台接收不到信号，默认无晶片，无法实现机台 原有自动传片功能，工艺结束后需手动取出，机台不能自动传片无法实现自动 生产，严重影响生产效率。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种适用于 深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法，使其更具有产业上的 利用价值。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种能够有效防止晶片被吸破， 保证晶片自动传输，提高生产效率的适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的 结构改造及改造方法。

本发明提出的一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造，包 括机台本体和用于抓取及传递晶片的手臂，所述手臂活动安装所述台本体上， 所述手臂的前端部分安装有弧形卡位块，其特征在于：所述手臂的前端呈U型， 所述手臂的U型两侧与所述弧形卡位块的两端齐平且位于晶片的边缘位置，还 包括一感应晶片的传感器，所述传感器固定在所述手臂U型的敞开边缘处，所 述手臂U型两侧的前端和所述手臂U型的中间均固定一防滑片。

作为本发明的进一步改进，所述传感器为光纤传感器，所述传感器与所述 机台本体通信连接。

作为本发明的进一步改进，所述防滑片为中空皮碗，所述中空皮碗朝上设 置。

作为本发明的进一步改进，所述手臂的U型两侧均呈长条形且宽度与所述 中空皮碗的直径相同。

作为本发明的进一步改进，所述手臂上设有两个螺纹孔，所述卡位块上设 有两个定位孔，所述卡位块通过螺丝固定在所述手臂上，所述定位孔的长度大 于所述螺纹孔的直径。

本发明提出的一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的改造方法，其 特征在于：包括以下步骤：

(1)手臂形状设计：保持原有的U型状，增加手臂U型槽深度，加大U 型两侧距离，将取片位置设置在晶片的边缘位置，减少与晶片接触面积，以避 免抓取或放置晶片有蹭到甚至直接撞击晶片；

(2)设计一根光纤传感器，利用光纤传感器从下往上射出镭射光以检测晶 片，检测信号接入机台原控制电路；

(3)电路改造：利用机台原有的真空系统输出信号控制光纤传感器的检测 周期，实现机台原有的检测功能；

(4)重新设计晶片卡位块：增加卡位块上螺丝孔的长度，以便调节位置， 方便不同晶片传送位置的调整；

(5)在手臂U型两侧前端固定中空皮碗，从而减小晶片的接触面积，增加 摩擦防止传送过程中滑片，皮碗中空设计能够防止吸力太强将晶片吸破。

借由上述方案，本发明至少具有以下优点：本发明通过增加手臂U型槽深 度，加大U型两侧距离，将取片位置设置在晶片的边缘位置，减少与晶片接触 面积，以避免抓取或放置晶片有蹭到甚至直接撞击晶片；通过中空皮碗减小晶 片的接触面积，增加摩擦防止传送过程中滑片，能够防止吸力太强将晶片吸破。 通过光纤传感器检测，检测位置为晶片下方，能保证检测到当前位置上的晶片， 保证晶片探测的准确性，并将信号发送给机台，在取消真空后仍能抓取晶片， 达到自动抓取晶片工艺的目的，不管是减薄晶片还是普通晶片均能适用。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术 手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附 图详细说明如后。

附图说明

图1为本发明一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造的示 意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以 下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。