[发明专利]射频MOS器件的建模方法及测试结构

权利要求书

1.一种用于射频MOS器件建模的辅助器件测试结构，其特征在于，所述辅助器件测试结构包括：本征辅助器件、位于所述本征辅助器件上的多层互连层、以及引出极；所述本征辅助器件包括半导体衬底，位于所述半导体衬底上的浅沟槽隔离结构，位于所述浅沟槽隔离结构表面的栅极，以及位于所述栅极两侧的所述浅沟槽隔离结构中的假源区和假漏区，所述假源区和所述假漏区之间短接；所述互连层位于所述浅沟槽隔离结构表面且在所述栅极两侧，每层所述互连层包括金属层和通孔，其中，通孔位于所述假源区上、所述假漏区上和所述栅极上；所述引出极包括在所述互连层上的栅极引出极、由栅极构成的多个栅极叉指、源漏引出极、以及源漏引出极的多个叉指；所述栅极引出极位于所述栅极叉指上的通孔上，所述源漏引出极的叉指位于所述假源区和所述假漏区上的通孔上。

2.一种用于射频MOS器件建模的辅助测试结构，其特征在于，所述辅助测试结构包括：权利要求1所述的辅助器件测试结构、接触结构和辅助器件测试结构的去嵌结构；所述辅助器件测试结构的去嵌结构包括辅助开路测试结构和辅助短路测试结构；其中，

所述接触结构包括接地接触端和信号接触端；在所述辅助器件测试结构中，所述栅极引出极和所述源漏引出极分别与所述信号接触端连接；

所述辅助开路测试结构包括：在所述辅助器件测试结构的基础上，在所述辅助器件测试结构所选择的去嵌平面中，将所述去嵌平面下方的金属层、通孔和栅极叉指去除，用介质填充所述金属层的位置、所述通孔的位置和所述栅极的位置，以使所述信号接触端与所述栅极叉指及与所述假源区和所述假漏区的连接在所述去嵌平面位置断开，从而只存在所述信号接触端与所述的去嵌平面的金属层的连接；

所述辅助短路测试结构包括：在所述辅助开路测试结构的基础上，在所述去嵌平面中，将所述源漏引出极的所有叉指连接到所述栅极引出极上，以实现所述栅极引出极与所述源漏引出极之间的短接，并同时与接地接触端短接。

3.根据权利要求2所述的辅助测试结构，其特征在于，所述射频MOS器件建模时，还采用MOS器件测试结构、第一接触结构以及MOS器件测试结构的去嵌结构；所述MOS器件测试结构的去嵌结构包括开路测试结构和短路测试结构；其中，

所述MOS器件测试结构包括：本征MOS器件、位于所述本征MOS器件上的第一互连层、以及第一引出极；所述本征MOS器件包括半导体衬底，位于所述半导体衬底上的有源区，位于所述有源区上的第一栅极，位于所述第一栅极两侧的有源区中的源区和漏区；所述第一互连层位于所述栅极、所述源区和所述漏区上，所述第一互连层的每个层次均包括金属层和通孔，其中，所述第一互连层的通孔位于所述源区上、所述漏区上和所述栅极上，源区接地；所述第一引出极包括在所述第一互连层上的第一栅极引出极、由第一栅极构成的多个第一栅极叉指、漏区引出极、以及漏区引出极的多个叉指；所述第一栅极引出极的叉指位于所述第一栅极上的通孔上，所述漏区引出极的叉指位于所述漏区上的通孔上；

所述第一接触结构包括第一接地接触端和第一信号接触端；在所述MOS器件测试结构中，所述第一栅极引出极和所述漏区引出极分别与所述第一信号接触端连接；

所述开路测试结构包括：在所述MOS器件测试结构的基础上，在所述MOS器件测试结构所选择的去嵌平面中，将该去嵌平面下方的金属层、通孔和所述第一栅极叉指去除，用介质填充所去除的金属层的位置、所去除的通孔的位置和所去除的第一栅极的位置，以使所述信号接触端与所述栅极、和所述漏区的连接在所述去嵌平面位置断开，从而只存在所述信号接触端与所述去嵌平面的金属层的连接；

所述短路测试结构包括：在所述开路测试结构的基础上，在所述去嵌平面中，将所述漏区引出极的所有叉指连接到所述第一栅极引出极上，以实现所述第一栅极引出极与所述漏区引出极之间的短接，并同时与所述第一接地接触端短接。

4.根据权利要求3所述的辅助测试结构，其特征在于，在所述MOS器件测试结构的基础上，用所述辅助测试结构中的所述浅沟槽隔离结构替换所述MOS器件测试结构中的有源区，从而得到所述辅助测试结构；所述辅助测试结构中的浅沟槽隔离结构的图案与所述的MOS器件测试结构中的有源区的图案相同，所述辅助测试结构中的栅极，假源区，假漏区与所述MOS器件测试结构中的第一栅极，源区，漏区的位置和叉指的数量相同。