[发明专利]TFT背板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT背板，包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层以及位于所述电容绝缘层上的第二金属层，其特征在于，所述第二金属层上形成有绝缘介质层，所述绝缘介质层上形成有第三金属层，所述第一金属层包括作为TFT栅极的矩形部分，所述第二金属层的一部分位于所述第一金属层的所述矩形部分的正上方；所述第三金属层穿过所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成的若干栅极过孔与所述第一金属层接触，所述第二金属层的位于所述第一金属层的所述矩形部分正上方的部分形成有供所述栅极过孔通过的若干镂空部；所述第二金属层的一部分位于所述第一金属层的正上方，所述第三金属层包括位于所述第二金属层正上方的第一部分及穿过所述栅极过孔与所述第一金属层相接触的第二部分；所述第一金属层、所述第二金属层以及夹在所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分电容绝缘层形成一第一电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及夹在所述第二金属层和所述第三金属层的第一部分之间的部分绝缘介质层形成一第二电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第二部分以及夹在所述第二金属层的侧面和所述第三金属层的第二部分之间的部分绝缘介质层形成一第三电容，所述TFT的存储电容包括所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容。

2.根据权利要求1所述的TFT背板，其特征在于：所述存储电容的面积等于所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容的面积之和。

3.根据权利要求1所述的TFT背板，其特征在于：所述存储电容的面积等于所述第一金属层和所述第二金属层的有效投影面积、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第一部分的有效投影面积以及所述第二金属层的侧面与所述第三金属层的所述第二部分的有效投影面积之和减去所述栅极过孔总面积的两倍。

4.根据权利要求1所述的TFT背板，其特征在于：所述TFT背板还包括基板、位于基板上氮化硅层、位于氮化硅层上的氧化硅层、位于氧化硅层上的多晶硅层、以及位于多晶硅层上的栅极绝缘层，所述第一金属层形成于所述栅极绝缘层上。

5.根据权利要求1所述的TFT背板，其特征在于：所述第三金属层上形成有平坦化层，所述平坦化层上形成有阳极。

6.一种TFT背板的制造方法，其特征在于：其包括：

形成第一金属层，所述第一金属层包括作为TFT栅极的矩形部分；

在所述第一金属层上形成电容绝缘层；

在所述电容绝缘层上形成第二金属层并图案化所述第二金属层，在所述第二金属层的位于所述矩形部分上方的部分形成若干镂空部；

在所述第二金属层上形成绝缘介质层；

在所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成若干栅极过孔，所述栅极过孔穿过所述第二金属层的所述镂空部和所述电容绝缘层由所述绝缘介质层延伸至所述第一金属层；

在所述绝缘介质层上形成第三金属层，所述第三金属层包括位于所述第二金属层的上方的第一部分及穿过所述栅极过孔与所述第一金属层相接触的第二部分；

其中，所述第一金属层、所述第二金属层以及夹在所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分电容绝缘层形成一第一电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及夹在所述第二金属层和所述第三金属层的第一部分之间的部分绝缘介质层形成一第二电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第二部分以及夹在所述第二金属层的侧面和所述第三金属层的第二部分之间的部分绝缘介质层形成一第三电容，所述TFT的存储电容包括所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容。

7.根据权利要求6所述的TFT背板的制造方法，其特征在于：所述存储电容的面积等于所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容的面积之和。