[发明专利]TFT背板及其制造方法

说明书

一种TFT背板，包括第一金属层、位于第一金属层上的电容绝缘层以及位于电容绝缘层上的第二金属层，第二金属层上形成有绝缘介质层，绝缘介质层上形成有第三金属层，第三金属层穿过绝缘介质层和电容绝缘层上形成的栅极过孔与第一金属层接触，第二金属层上形成有供栅极过孔通过的镂空部。本发明的TFT背板结构将第一金属层和第三金属层作为存储电容的一个极板，将第二金属层作为存储电容的另一个极板，而将存储电容分成三部分，从而可以在有限的版图面积下有效增加存储电容的面积。本发明还提供上述TFT背板的制造方法。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT背板及其制造方法。

背景技术

在平面显示领域，TFT背板的像素电路存储电容结构一般包括玻璃基板，直接形成于玻璃基板上的多晶硅层(p-Si层)，直接形成于玻璃基板和多晶硅层上的栅极绝缘层(GI层，Gate Insulation Layer)，直接形成于栅极绝缘层上且位于多晶硅层上方的第一金属层，直接形成于栅极绝缘层和第一金属层上的电容绝缘层(CI层，Capacitance InsulationLayer)，直接形成于电容绝缘层上且位于第一金属层上方的第二金属层，其中，第一金属层作为驱动TFT的栅极，同时也作为存储电容的一个极板，第二金属层作为存储电容的另一个极板，第一金属层、第二金属层及夹在第一金属层和第二金属层之间的部分电容绝缘层形成存储电容。

像素电路的存储电容在工作过程中会存储驱动TFT的栅极电位，随着显示屏分辨率的提高，所需要的电容容量也越来越大。在目前的像素电路存储电容结构中，分别以第一金属层和第二金属层作为电容的两个极板，由于电容的两个极板为平面结构，因此要获得较大的电容容量就需要很大的版图面积，而电容面积的增大会造成显示装置开口率的下降，影响显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种可在有限的版图面积下有效增加存储电容容量的TFT背板及其制造方法。

本发明提供的TFT背板包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层以及位于所述电容绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层上形成有绝缘介质层，所述绝缘介质层上形成有第三金属层，所述第三金属层穿过所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成的若干栅极过孔与所述第一金属层接触，所述第二金属层上形成有供所述栅极过孔通过的若干镂空部。

根据本发明的一个实施例，所述第二金属层的一部分位于所述第一金属层的正上方，所述第三金属层包括位于所述第二金属层的正上方的第一部分及穿过所述栅极过孔与所述第一金属层相接触的第二部分。

根据本发明的一个实施例，所述第一金属层、所述第二金属层以及夹在所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分电容绝缘层形成一第一电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及夹在所述第二金属层和所述第三金属层的第一部分之间的部分绝缘介质层形成一第二电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第二部分以及夹在所述第二金属层的侧面和所述第三金属层的第二部分之间的部分绝缘介质层形成一第三电容，所述TFT的存储电容包括所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容。

根据本发明的一个实施例，所述存储电容的面积等于所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容的面积之和。

根据本发明的一个实施例，所述存储电容的面积等于所述第一金属层和所述第二金属层的有效投影面积、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第一部分的有效投影面积以及所述第二金属层的侧面与所述第三金属层的所述第二部分的有效投影面积之和减去所述栅极过孔总面积的两倍。

根据本发明的一个实施例，所述TFT背板还包括基板、位于基板上氮化硅层、位于氮化硅层上的氧化硅层、位于氧化硅层上的多晶硅层、以及位于多晶硅层上的栅极绝缘层，所述第一金属层形成于所述栅极绝缘层上。

根据本发明的一个实施例，所述第三金属层上形成有平坦化层，所述平坦化层上形成有阳极。