[发明专利]一种用于ESD保护的低触发电压SCR器件有效
| 申请号： | 201510976188.8 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105609488B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘继芝;赵柳;刘志伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 保护 触发 电压 scr 器件 | ||
1.一种用于ESD保护的低触发电压SCR器件，包括第一种导电类型硅衬底、硅衬底上形成的相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，所述第二种导电类型阱区内设有与阳极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第一种导电类型阱区内设有与阴极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区之间跨接一个第二种导电类型重掺杂区，所述跨接的第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型阱区内第二种导电类型重掺杂区之间的硅表面上设有一个栅氧化层区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区硅表面上无器件结构区域还设有另一栅氧化层区，两个栅氧化层区上的多晶硅层相连；所述两个栅氧化层区上的多晶硅层通过金属层连接。
2.按权利要求1所述用于ESD保护的低触发电压SCR器件，其特征在于，所述第二种导电类型阱区硅表面上的栅氧化层区设置于第一种导电类型重掺杂区与所述跨接的第二种导电类型重掺杂区之间、或者第二种导电类型重掺杂区任意一侧。
3.按权利要求1～2任一所述用于ESD保护的低触发电压SCR器件，其特征在于，所述第二种导电类型阱区、第一种导电类型阱区、第二种导电类型阱区内的第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区、第一种导电类型阱区内的第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区、跨接的第二种导电类型重掺杂区、以及两个栅氧化层区均呈条状排布，且所述两个栅氧化层区中至少一个采用比例分割排布。
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