[发明专利]用于制造半导体器件的构图方法、半导体器件制作方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的构图方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体上形成牺牲材料层；

在所述牺牲材料层上形成具有第一图案的光刻胶层；

以所述具有第一图案的光刻胶层为掩膜刻蚀所述牺牲材料层，以第一次图形化所述牺牲材料层，使所述牺牲材料层具有第一图案；

去除所述具有第一图案的光刻胶层，形成填充并覆盖所述具有第一图案的牺牲材料层的具有第二图案的光刻胶层；

以所述具有第二图案的光刻胶层为掩膜刻蚀所述具有第一图案的牺牲材料层，以使所述牺牲材料层具有第三图案；

形成填充并覆盖所述具有第三图案的牺牲材料层的掩膜材料层；

去除所述牺牲材料层，形成具有第四图案的掩膜层，

其中，所述第一图案和第二图案具有多个带状凹槽，且所述多个带状凹槽彼此交错但不重合，所述第三图案为所述第一图案的带状凹槽和第二图案带状凹槽交错形成的多个孤立凸起。

2.根据权利要求1所述的构图方法，其特征在于，每个所述凸起由所述第一图案和第二图案中各两个带状凹槽交错形成。

3.根据权利要求1或2所述的构图方法，其特征在于，所述第四图案为与所述第三图案对应的多个孔。

4.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成目标材料层；

使用如权利要求1～3中任一项所述的构图方法在所述目标材料层形成掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜来执行后续工艺。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述目标材料层上还形成有硬掩膜层、蚀刻停止层和界面层中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述后续工艺为蚀刻工艺。