[发明专利]用于制造半导体器件的构图方法、半导体器件制作方法

说明书

本发明提供一种用于制造半导体器件的构图方法及半导体器件制造方法，涉及半导体技术领域。该构图方法包括提供半导体衬底，在半导体上形成牺牲材料层；在牺牲材料层上形成具有第一图案的光刻胶层；以具有第一图案的光刻胶层为掩膜刻蚀牺牲材料层，使第一牺牲材料层具有第一图案；去述具有第一图案的光刻胶层，形成填充并覆盖具有第一图案的牺牲材料层的具有第二图案的光刻胶层；以具有第二图案的光刻胶层为掩膜刻蚀具有第一图案的牺牲材料层，以使第一牺牲材料层具有第三图案；形成填充并覆盖所述具有第三图案的牺牲材料层的掩膜材料层；去除牺牲材料层，形成具有第四图案的掩膜层。该构图方法通过双重曝光和图形翻转可以使图形密集度提高一倍。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种用于制造半导体器件的构图方法、半导体器件制作方法。

背景技术

随着半导体器件尺寸不断缩小，光刻关键尺寸(CD)逐渐接近甚至超过了光学光刻的物理极限，由此给半导体制造技术尤其是光刻技术提出了更加严峻的挑战。随着半导体器件尺寸的逐渐减小，后道孔的周期(即，相邻两孔中心的距离)也越来越小，而使用目前的光刻技术已经无法满足20/14/16nm技术节点的后道孔周期要求，于是通常人们利用DDL(double dipole lithography)或双重图形的方法来形成20/14/16nm技术节点的后道孔，但是这种方法所形成的后道孔对于20/14/16nm技术节点来说，仍然存在孔周期相对偏大，无法满足更高的器件密度要求等问题。

因此，有必要提出一种新的光刻方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种用于制造半导体器件的构图方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体上形成牺牲材料层；在所述牺牲材料层上形成具有第一图案的光刻胶层；以所述具有第一图案的光刻胶层为掩膜刻蚀所述牺牲材料层，以第一次图形化所述牺牲材料层，使所述第一牺牲材料层具有第一图案；去除所述具有第一图案的光刻胶层，形成填充并覆盖所述具有第一图案的牺牲材料层的具有第二图案的光刻胶层；以所述具有第二图案的光刻胶层为掩膜刻蚀所述具有第一图案的牺牲材料层，以使所述第一牺牲材料层具有第三图案；形成填充并覆盖所述具有第三图案的牺牲材料层的掩膜材料层；去除所述牺牲材料层，形成具有第四图案的掩膜层。

进一步地，所述第一图案和第二图案具有多个带状凹槽，且所述多个带状凹槽彼此交错但不重合。

进一步地，所述第三图案为所述第一图案的带状凹槽和第二图案带状凹槽交错形成的多个孤立凸起。

进一步地，每个所述凸起由所述第一图案和第二图案中各两个带状凹槽交错形成。

进一步地，所述第四图案为与所述第三图案对应的多个孔。

本发明提出的用于制造半导体器件的构图方法通过双重曝光和图形翻转可以使图形密集度提高一倍。

本发明另一方面提供一种半导体器件的制造方法，其包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成目标材料层；使用本发明上述的构图方法在所述目标材料层形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜来执行后续工艺。

进一步地，在所述目标材料层上还形成有硬掩膜层、蚀刻停止层和界面层中的至少一种。

进一步地，所述后续工艺为蚀刻工艺。

本发明的半导体器件的制造方法，可以使图形密集度提高一倍。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。