[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供第一衬底，在所述第一衬底的第一表面一侧形成包括晶体管和第一互连结构的前端器件，以及位于所述晶体管外侧的第二互连结构，所述第一互连结构连接所述晶体管，所述第二互连结构的底层金属层通过若干接触与所述第一衬底的第一表面相连；

步骤S102：提供第二衬底，通过键合工艺将所述第二衬底与所述第一衬底的形成有所述前端器件的一侧相接合；

步骤S103：从所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面一侧对所述第一衬底进行减薄处理；

步骤S104：从所述第一衬底的所述第二表面开始，刻蚀所述第一衬底，直到暴露所述若干接触，以形成焊盘开口；

步骤S105：在所述焊盘开口中以及部分所述第一衬底的所述第二表面上形成焊盘，所述焊盘与所述若干接触相连，所述焊盘用于将信号或电源通过所述第一互连结构以及所述第二互连结构输入到半导体器件的内部。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一衬底为绝缘体上硅衬底，包括自下而上的体硅、氧化埋层和顶层硅，所述若干接触与所述顶层硅相连。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S104包括：从所述第一衬底的所述第二表面开始，依次刻蚀氧化埋层和顶层硅，直到暴露所述若干接触，以形成所述焊盘开口。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述前端器件还包括形成于所述第一衬底的所述第一表面上的射频器件。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述减薄处理包括化学机械研磨。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：

形成覆盖所述第一衬底的所述第二表面但暴露出所述焊盘的打线区的钝化层。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一衬底，在所述第一衬底的第一表面一侧形成有包括晶体管和第一互连结构的前端器件以及位于所述晶体管外侧的第二互连结构，所述第一互连结构连接所述晶体管，在所述第一衬底的所述第一表面上形成有与所述第二互连结构的底层金属层相连接的若干接触，在所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面形成有贯穿所述第一衬底暴露所述若干接触的焊盘开口，在所述焊盘开口中以及所述第一衬底的部分所述第二表面上形成有与所述若干接触相连的焊盘，所述焊盘用于将信号或电源通过所述第一互连结构以及所述第二互连结构输入到半导体器件的内部；

第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底的形成有所述前端器件的一侧相接合。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括覆盖所述第一衬底的所述第二表面但暴露出所述焊盘的打线区的钝化层。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一衬底为绝缘体上硅衬底。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述前端器件还包括形成于所述第一衬底的所述第一表面上的射频器件。

11.一种电子装置，其特征在于，包括电子组件以及与所述电子组件电连接的半导体器件，其中，所述半导体器件包括：

第一衬底，在所述第一衬底的第一表面一侧形成有包括晶体管和第一互连结构的前端器件以及位于所述晶体管外侧的第二互连结构，所述第一互连结构连接所述晶体管，在所述第一衬底的所述第一表面上形成有与所述第二互连结构的底层金属层相连接的若干接触，在所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面形成有贯穿所述第一衬底暴露所述若干接触的焊盘开口，在所述焊盘开口中以及所述第一衬底的部分所述第二表面上形成有与所述若干接触相连的焊盘，所述焊盘用于将信号或电源通过所述第一互连结构以及所述第二互连结构输入到半导体器件的内部；

第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底的形成有所述前端器件的一侧相接合。