[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供第一衬底，在第一衬底的第一表面一侧形成前端器件和第二互连结构，第二互连结构的底层金属层通过若干接触与第一衬底的第一表面相连；提供第二衬底，通过键合工艺将第二衬底与第一衬底的形成有所述前端器件的一侧相接合；对第一衬底进行减薄处理；刻蚀第一衬底，直到暴露若干接触，以形成焊盘开口；在焊盘开口中以及部分第一衬底的第二表面上形成焊盘，焊盘与若干接触相连。根据本发明的制造方法，采用普通的接触即可实现背面的铝焊盘与第一衬底正面的互联结构的连接，工艺简单，节省工艺，提高了器件的性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

在半导体技术领域中，随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高，衬底材料对电路性能的影响越来越大。绝缘体上硅(SOI)衬底因其良好的电学性能和与CMOS工艺兼容的特点，在射频电路等领域得到了广泛的应用。

现有的双面薄SOI工艺中，其中在进行背面Al接合焊盘跟正面的铜金属层连接制程时，很容易发生接触电阻增大的问题，并且在制作过程中，还容易发生Al/Cu机台之间的相互污染的问题，这些问题的产生往往会影响整个半导体器件的性能。在某些具体应用中，这一结构的器件将难以满足对器件性能的实际需要。

因此，为解决现有技术中的上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件及其制造方法和电子装置。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明实施例一提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

步骤S101：提供第一衬底，在所述第一衬底的第一表面一侧形成包括晶体管和第一互连结构的前端器件，以及位于所述晶体管外侧的第二互连结构，所述第二互连结构的底层金属层通过若干接触与所述第一衬底的第一表面相连；

步骤S102：提供第二衬底，通过键合工艺将所述第二衬底与所述第一衬底的形成有所述前端器件的一侧相接合；

步骤S103：从所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面一侧对所述第一衬底进行减薄处理；

步骤S104：从所述第一衬底的所述第二表面开始，刻蚀所述第一衬底，直到暴露所述若干接触，以形成焊盘开口；

步骤S105：在所述焊盘开口中以及部分所述第一衬底的所述第二表面上形成焊盘，所述焊盘与所述若干接触相连。

进一步，所述第一衬底为绝缘体上硅衬底，包括自下而上的体硅、氧化埋层和顶层硅，所述若干接触与所述顶层硅相连。

进一步，所述步骤S104包括：从所述第一衬底的所述第二表面开始，依次刻蚀氧化埋层和顶层硅，直到暴露所述若干接触，以形成所述焊盘开口。

进一步，所述前端器件还包括形成于所述第一衬底的所述第一表面上的射频器件。

进一步，在所述步骤S103中，所述减薄处理包括化学机械研磨。

进一步，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：

形成覆盖所述第一衬底的所述第二表面但暴露出所述焊盘的打线区的钝化层。

本发明实施例二提供一种半导体器件，包括：