[发明专利]MEMS多层线圈及其制备方法在审
| 申请号： | 201510977114.6 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105572610A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;胡靖华;胡佳飞;赵建强;田武刚;陈棣湘;张琦 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/02;H01L43/12;H01F5/00;H01F41/04;H01F41/12 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 多层 线圈 及其 制备 方法 | ||
1.一种MEMS多层线圈，包括底层线圈和顶层线圈，其特征在于，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。
2.根据权利要求1所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述磁性调控层的材料为镍、钴、铁中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述磁性调控层的厚度为500nm～1000nm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述磁性调控层的下侧设有底绝缘层，所述磁性调控层的上侧设有顶绝缘层。
5.根据权利要求4所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述底层线圈和所述顶层线圈之间设有导电通道，所述底层线圈与顶层线圈通过所述导电通道电连接。
6.根据权利要求5所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述底层线圈的材料为铬、铝、铜、银中的至少一种，所述顶层线圈的材料为铬、铝、铜、银中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述底层线圈的厚度为0.8μm～3μm，宽度为30μm～100μm；所述顶层线圈的厚度为0.8μm～3μm，宽度为30μm～100μm。
8.根据权利要求5所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述底绝缘层的材料包括二氧化硅或氮化硅，所述顶绝缘层的材料包括二氧化硅或氮化硅。
9.根据权利要求8所述的MEMS多层线圈，其特征在于，所述底绝缘层的厚度为200nm～600nm；所述顶绝缘层的厚度为200nm～600nm。
10.一种MEMS多层线圈的制备方法，包括以下步骤：
S1：在一玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，用底层线圈掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀出底层线圈后去胶；
S2：溅射沉积底绝缘层；
S3：溅射沉积磁性层，用磁性调控层掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀出磁性调控层，并形成用于形成导电通道的过孔后去胶；
S4：溅射沉积顶绝缘层；
S5：用过孔掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀顶绝缘层和底绝缘层，使所述过孔形成导电通道的导电通孔后去胶；
S6：溅射沉积顶层线圈金属层，用顶层线圈掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀出顶层线圈后去胶，划片、去胶清洗后得MEMS多层线圈。
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