[发明专利]MEMS多层线圈及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于弱磁场传感技术领域，涉及一种MEMS多层线圈及其制备方法。

背景技术

弱磁场传感技术广泛应用于磁性目标探测、地磁导航、磁存储、地质勘探、生物医学等军事和国民经济领域。现有技术中的AMR（AnisotropicMagnetoresistive，各向异性磁阻）磁敏感体，GMR（GiantMagnetoresistive，巨磁阻）磁敏感体、MTJ（MagneticTunnelJunction，磁隧道结）磁敏感体相比其他类型磁敏感技术具有体积小、功耗低、易批量生产等特点，尤其是MTJ磁敏感体，具有电阻变化率高、灵敏度高和温度稳定性好等优点，具有发展成小型化高性能磁传感器的巨大潜力。在小型化高性能磁传感器中，为使磁敏感体工作在线性区域，同时最大限度的降低磁滞影响，通常采用外置线圈调节磁敏感体周围的磁场大小，从而实现大量程条件下的高分辨率磁场测量。传统的多层线圈大部分由电镀实现，电镀的薄膜不均匀且位置误差大，图形化精度低，不能满足高精度的磁场调控。

近年来，各研究小组对高精度磁场调控线圈的设计和制备进行了大量的研究。2009年9月9日公布的专利中（CN101526590A）通过直流溅射、射频溅射、半导体薄膜加工技术实现了纵向结构的巨磁阻磁传感器，但其垂向结构不能产生平面内磁场；2013年WugangTian等（Rev.Sci.Instrum.84,035004(2013)）采用平面线圈对GMR磁敏感体的磁场补偿，有效降低磁滞的影响，但是线圈体积大，引线端口布局不合理，对工艺兼容不利；在生物医学方面，2013年清华大学（CN102936754A）通过直流溅射、等离体化学气相沉积方法制备多层线圈，形成的磁梯度阵列可提高细胞图形化效率，但正反向电流在同一平面内因此很难形成平面均匀磁场且调控难度大；2014年JanezTrontelj等通过ASIC工艺实现多层微线圈实现对霍尔元件的灵敏度改善，提升霍尔元件性能，但工艺相对复杂且成本高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术中用于小型磁传感器平面磁场调控的多层线圈存在结构平面内磁场调控能力弱，精度与工艺难度无法兼顾等不足，提供一种能够实现平面内的高精度磁场调控、结构简单紧凑、体积小、成本低廉和制作方便的用于小型磁传感器平面磁场调控的MEMS多层线圈及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种MEMS多层线圈，包括底层线圈和顶层线圈，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述磁性调控层的材料为镍、钴、铁中的至少一种。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述磁性调控层的厚度为500nm～1000nm。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述磁性调控层的下侧设有底绝缘层，所述磁性调控层的上侧设有顶绝缘层。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述底层线圈和所述顶层线圈之间设有导电通道，所述底层线圈与顶层线圈通过所述导电通道电连接。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述底层线圈的材料为铬、铝、铜、银中的至少一种，所述顶层线圈的材料为铬、铝、铜、银中的至少一种。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述底层线圈的厚度为0.8μm～3μm，宽度为30μm～100μm；所述顶层线圈的厚度为0.8μm～3μm，宽度为30μm～100μm。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述底绝缘层的材料包括二氧化硅或氮化硅，所述顶绝缘层的材料包括二氧化硅或氮化硅。

上述的MEMS多层线圈，优选的，所述底绝缘层的厚度为200nm～600nm；所述顶绝缘层的厚度为200nm～600nm。

作为一个总的发明构思，本发明还提供一种上述的MEMS多层线圈的制备方法，包括以下步骤：

S1：在一玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，用底层线圈掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀出底层线圈后去胶；

S2：溅射沉积底绝缘层；

S3：溅射沉积磁性层，用磁性调控层掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀出磁性调控层，并形成用于形成导电通道的过孔后去胶；

S4：溅射沉积顶绝缘层；

S5：用过孔掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀顶绝缘层和底绝缘层，使所述过孔形成导电通道的导电通孔后去胶；

S6：溅射沉积顶层线圈金属层，用顶层线圈掩膜板光刻固胶，湿法腐蚀出顶层线圈后去胶，划片、去胶清洗后得MEMS多层线圈。