[发明专利]与闪速存储器集成的梳形电容器

权利要求书

1.一种集成电路IC，包括：

半导体衬底，包括闪速存储区和电容器区；

闪速存储单元，布置在所述闪速存储区上方，以及包括布置在所述闪速存储单元的第一和第二源极/漏极区之间的多晶硅选择栅极和布置在所述多晶硅选择栅极旁边并且通过控制栅极介电层与所述多晶硅选择栅极分开的控制栅极；以及

电容器，布置在所述电容器区上方，以及包括多晶硅第一电容器极板和多晶硅第二电容器极板，所述多晶硅第一电容器极板和所述多晶硅第二电容器极板彼此相互交叉以及具有通过电容器介电层彼此分开的侧壁，其中，所述电容器介电层和所述控制栅极介电层由相同的材料制成，

其中，所述多晶硅选择栅极的最上表面和所述多晶硅第一电容器极板的最上表面是彼此共平面的。

2.根据权利要求1所述的IC，其中，所述电容器介电层和所述控制栅极介电层均包括夹在第一和第二介电层之间的电荷捕获层。

3.根据权利要求1所述的IC，其中，所述电容器介电层和所述控制栅极介电层均包括隧道介电层、覆盖介电层以及夹在所述隧道介电层和所述覆盖介电层之间的硅点层。

4.根据权利要求1所述的IC，其中，所述电容器介电层和所述控制栅极介电层均包括隧道氧化物层、覆盖氧化物层以及夹在所述隧道氧化物层和所述覆盖氧化物层之间的氮化物层。

5.根据权利要求1所述的IC，其中，所述多晶硅第一电容器极板具有上表面以及对应于所述多晶硅选择栅极的厚度的厚度；以及其中，所述多晶硅第二电容器极板具有上表面以及对应于所述控制栅极的厚度的厚度。

6.根据权利要求1所述的IC，其中，所述控制栅极和所述多晶硅第二电容器极板的上部最外表面是圆形的。

7.根据权利要求1所述的IC，其中，所述多晶硅第一电容器极板的多晶硅材料与所述多晶硅选择栅极的多晶硅材料同时形成；以及其中，所述多晶硅第二电容器极板的多晶硅材料与所述控制栅极的多晶硅材料同时形成。

8.根据权利要求1所述的IC，还包括：

掺杂的电容器区，布置在所述半导体衬底的所述电容器区中；

其中，所述掺杂的电容器区欧姆连接至所述多晶硅第一电容器极板或所述多晶硅第二电容器极板中的一个，使得所述掺杂的电容器区和所述多晶硅第一电容器极板或所述多晶硅第二电容器极板中的一个共同地用作单个电容器极板。

9.根据权利要求1所述的IC，其中，所述多晶硅第一电容器极板包括从第一躯干向外延伸的多个第一指状部，所述第一躯干在所述多个第一指状部之间连续延伸。

10.根据权利要求9所述的IC，其中，所述多晶硅第二电容器极板包括从第二躯干向外延伸的多个第二指状部，所述第二躯干在所述多个第二指状部之间连续延伸，以及其中，所述多个第一指状部与所述多个第二指状部彼此互相交叉并且通过所述电容器介电层彼此分开。

11.一种用于制造嵌入式闪速存储器件的方法，所述方法包括：

接收半导体衬底，所述半导体衬底包括闪速存储区和电容器区；

在所述半导体衬底的所述闪速存储区和所述电容器区上方形成第一介电层，以及在所述第一介电层上方形成第一掺杂的多晶硅层；以及

去除所述第一掺杂的多晶硅层和所述第一介电层的一些部分以在所述闪速存储区上方创建选择栅极以及在所述电容器区上方创建第一电容器极板，

其中，所述选择栅极的最上表面和所述第一电容器极板的最上表面是彼此共平面的。