[发明专利]一种晶圆参数的修调方法及装置有效

专利信息
申请号: 201510979581.2 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN105551993B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 徐四九 申请(专利权)人: 上海威伏半导体有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 201703 上海市青浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 档位 线性公式 参数值确定 测量 预设 种晶 拟合
【权利要求书】:

1.一种晶圆参数的修调方法,其特征在于:包括:

根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式;其中,晶圆参数档位的数量大于等于2;

测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值;其中,所述N为正整数;

根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值;

测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值;

根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值;

测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值;

确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值;

在确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时,将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。

2.根据权利要求1所述的晶圆参数的修调方法,其特征在于:在所述将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值之后,还包括:

根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值,并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。

3.根据权利要求2所述的晶圆参数的修调方法,其特征在于:晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。

4.根据权利要求3所述的晶圆参数的修调方法,其特征在于:所述线性公式包括:y=bx+a;

其中,b为线性系数,a为常数,x为晶圆参数档位值,y为晶圆参数值;

所述根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值包括:

根据公式xN+1=xN-(yN-yT)/b确定第N+1个晶圆参数档位值;

其中,xN为第N个晶圆参数档位值,yN为第N个实际晶圆参数值,yT为目标晶圆参数值,xN+1为第N+1个晶圆参数档位值;

所述根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值包括:

根据公式xN+2=xN+1-(yN+1-yT)/b确定第N+2个晶圆参数档位值;

其中,yN+1为第N+1个实际晶圆参数值,xN+2为第N+2个晶圆参数档位值。

5.一种晶圆参数的修调装置,其特征在于:包括:

处理单元,用于根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式;其中,晶圆参数档位的数量大于等于2;

测量单元,用于测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值;其中,所述N为正整数;

确定单元,用于根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值;

所述测量单元,还用于测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值;

所述确定单元,还用于根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值;

所述测量单元,还用于测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值;

所述确定单元,还用于确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值;

所述处理单元,还用于在所述确定单元确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时,将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。

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