[发明专利]一种晶圆参数的修调方法及装置有效
申请号: | 201510979581.2 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105551993B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 徐四九 | 申请(专利权)人: | 上海威伏半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 201703 上海市青浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 档位 线性公式 参数值确定 测量 预设 种晶 拟合 | ||
本发明公开了一种晶圆参数的修调方法及装置,所述方法包括:根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式;测量第N个实际晶圆参数值;根据线性公式、第N个实际晶圆参数值、第N个晶圆参数档位值及目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值;测量第N+1个实际晶圆参数值;根据线性公式、第N+1个实际晶圆参数值、第N+1个晶圆参数档位值及目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值;测量第N+2个实际晶圆参数值;确定第N+2个实际晶圆参数值与目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值;在小于第一预设值时,将第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。本发明的修调时间端,提高了修调效率。
技术领域
本发明涉及晶圆制造技术领域,特别涉及一种晶圆参数的修调方法及装置。
背景技术
晶圆在制造过程中,由于其制作工艺存在一定的离散性,因此不能保证晶圆的关键参数的一致性,鉴于此,在制造晶圆时,通常将每一个关键参数均做出多档,然后在后期晶圆测试时,在每一个关键参数的多档中确定出与目标参数最接近的一档,即为晶圆参数的修调。
现有技术中,通常采用扫描法来实现晶圆参数的修调,若需要修调的参数为内部RC振荡器的输出频率,且做出256档内部RC振荡器的输出频率,在修调时,需要从第1档扫描至第256档,共需要256步,然后将扫描结果进行比对,确定出与目标参数最接近的一档,完成晶圆内部RC振荡器的输出频率的修调,其他参数的修调方法与上述相同,在此不再赘述。
但上述晶圆参数的修调方法需要对每一档进行扫描,修调步骤较多,修调时间长,从而降低了修调效率。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种晶圆参数的修调方法,其修调时间短,提高了修调效率。
本发明通过以下技术手段解决上述问题:
本发明的一种晶圆参数的修调方法,包括:根据晶圆参数值和晶圆参数档位值拟合线性公式;其中,所述晶圆参数档位的数量大于等于2;测量第N个晶圆参数档位值对应的第N个实际晶圆参数值;其中,所述N为正整数;根据所述线性公式、所述第N个实际晶圆参数值、所述第N个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+1个晶圆参数档位值;测量第N+1个晶圆参数档位值对应的第N+1个实际晶圆参数值;根据所述线性公式、所述第N+1个实际晶圆参数值、所述第N+1个晶圆参数档位值及预先设定的目标晶圆参数值确定第N+2个晶圆参数档位值;测量第N+2个晶圆参数档位值对应的第N+2个实际晶圆参数值;确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值是否小于第一预设值;在确定所述第N+2个实际晶圆参数值与所述目标晶圆参数值的差值的绝对值小于第一预设值时,将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值。
进一步,在所述将所述第N+2个晶圆参数档位值四舍五入后的值确定为目标晶圆参数档位值之后,还包括:根据拟合公式和所述目标晶圆参数档位值确定实际晶圆参数档位值,并将所述实际晶圆参数档位值写入所述晶圆中。
进一步,晶圆参数包括RC振荡器的输出频率、低压差线性稳压器输出的电压及参考电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造