[发明专利]多源自供电集成电路

权利要求书

1.多源自供电集成电路，其特征在于，包括多源能量采集器和集成电路，所述多源能量采集器和集成电路共同集成在P型或N型衬底上，所述多源能量采集器包括PN结和覆盖在PN结上的抗反射层；所述集成电路设置在与PN结相反一面的衬底上；所述多源能量采集器的P区和N区分别通过金属导线从所述衬底内部直接连接到集成电路，能量采集器采集能量后为集成电路供电；所述多源能量采集器还包括射频能源采集天线，射频能源采集天线设置在抗反射层上或者设置在与PN结相反一面的衬底上，或者同时在这两个面都设置；所述射频能源采集天线连接到集成电路，天线采集能量后为集成电路供电；所述射频能量采集天线包括非闭合的钩状结构的射频能量采集单元，所述非闭合的钩状结构包括直线部分和钩子部分，其中直线部分的宽度小于钩子部分的宽度，钩子部分的开口面积小于闭合面积。

2.如权利要求1所述的多源自供电集成电路，其特征在于，所述射频能源采集天线与集成电路之间还设有乘法电路。

3.如权利要求2所述的多源自供电集成电路，其特征在于，所述乘法电路设置在衬底外部或者集成在衬底内。

4.如权利要求1至3之一所述的多源自供电集成电路，其特征在于，所述P区和N区分别设有重掺杂区，重掺杂区与集成电路相连。

5.一种如权利要求1所述的多源自供电集成电路的制备方法，其特征在于，

所述制备方法包括如下步骤：

(1)在P型或N型衬底上形成多源能量采集器的PN结，在具有PN结一面的衬底上通过绝缘体钝化工艺形成抗反射层；

(2)在与PN结相反一面的衬底上覆盖外延层，在外延层上利用集成电路制备工艺制备集成电路；

(3)通过光刻和刻蚀工艺在衬底内部形成两个连接孔，其中一个连接孔贯穿外延层并深入到衬底内部与P区连通，另外一个连接孔贯穿外延层并深入到衬底内部与N区连通；然后使用金属沉积工艺形成两条所述金属导线，分别连接到集成电路为其供电。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在抗反射层的表面或者在与PN结相反一面的衬底上，或者同时在这两个表面上，通过金属淀积工艺形成射频能源采集天线；然后使用金属沉积、光刻、剥离或掩膜工艺形成金属连接线，将射频能源采集天线连接到集成电路为其供电。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述射频能源采集天线与集成电路之间还连接有乘法电路。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述乘法电路设置在衬底外部，或者与集成电路同时集成在衬底内。

9.如权利要求5至8之一所述的制备方法，其特征在于，在PN结的P区和N区内分别制备有重掺杂区，两个连接孔分别与重掺杂区连通。