[发明专利]多源自供电集成电路有效
申请号: | 201510980133.4 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN105428357B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 陈远宁;戴征武;章伟聪 | 申请(专利权)人: | 宁波微能物联科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L27/092 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 李媛媛 |
地址: | 315800 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源自 供电 集成电路 | ||
本发明提供了一种多源自供电集成电路,包括多源能量采集器和集成电路,多源能量采集器和集成电路共同集成在P型或N型衬底上,多源能量采集器包括PN结和覆盖在PN结上的抗反射层;集成电路设置在与PN结相反一面的衬底上;多源能量采集器的P区和N区分别通过金属导线从衬底内部直接连接到集成电路,多源能量采集器采集能量后为集成电路供电。多源能量采集器还包括射频能源采集天线,射频能源采集天线设置在抗反射层上或者设置在与PN结相反一面的衬底上,或者同时在这两个面都设置;射频能源采集天线连接到集成电路,天线采集能量后为集成电路供电。本发明能采集多种能源,并能够长期稳定提供电量;能在各种极端险恶环境中使用。
技术领域
本发明涉及多源自供电集成电路,具体涉及一种与双源能源采集器集成的自供电集成电路,属于能源采集与电路集成应用的技术领域。
背景技术
目前,能够高效、低成本地获取周围环境的能量并将其转换为电能以替代或增强电池或其他常规电源、为低功耗电子设备供电的发电技术正越来越多地得到应用;上述发电技术常包括光伏发电、压电式发电、电动式发电、温差电等形式,如何将多种发电技术综合利用、形成多种能源采集的技术目前鲜少出现。
在无线传感器网络(WSN)等的应用中,有大量用于远程探测环境和当地物理参数(如温度、压力、流速、补平、化学物质存在以及生物条件等)的传感器,此类传感器大多应用在极端、偏远地区甚至危险的环境中,当与传感器配套使用的电源发生电量耗尽或者产生故障时,更换电源十分不便,且可能给工作人员的人身安全带来危险,甚至有的传感器一旦安装后电源根本无法更换(比如检测飞行器表面缺陷的传感器);此外,有些传感器需要长期使用几十年(如10~30年),那么就需要提供长期稳定的可靠电量供应。所以,急需一种可以长期提供可靠电量供应以及能在各种极端险恶环境中使用的自供电系统。
虽然各种发电技术和集成电路已经分别有相关的报道,但是将多种能源采集技术与集成电路集成为一个器件是一项全新的技术,实现这一全新的技术需要解决一系列新的问题,如:如何将多种能源采集技术与集成电路集成在一块硅片衬底上;如何选择合适的材料以及制备工艺来保证器件良好的性能等。
发明内容
为了克服现有技术中存在的如下缺点:(1)现有的能源采集技术只能转化单一能源为电能;(2)现有自供电系统的能量采集部分和存储部分为分立的元件,体积和成本较大,不便于安装或更换;(3)现有的自供电系统尚未出现能量采集和集成电路相集成的技术;(4)不能稳定地长期提供电量;(5)不能在各种极端险恶环境中使用;而本发明提供了一种多源自供电集成电路,其能够采集多种能源,综合利用;体积小、成本低;长期稳定提供电量;能在各种极端险恶环境中使用。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
多源自供电集成电路,包括多源能量采集器和集成电路,所述多源能量采集器和集成电路共同集成在P型或N型衬底上,所述多源能量采集器包括PN结和覆盖在PN结上的抗反射层;所述集成电路设置在与PN结相反一面的衬底上;所述多源能量采集器的P区和N区分别通过金属导线从所述衬底内部直接连接到集成电路,能量采集器采集能量后为集成电路供电。
所述多源能量采集器还包括射频能源采集天线,射频能源采集天线设置在抗反射层上或者设置在与PN结相反一面的衬底上,或者同时在这两个面都设置;所述射频能源采集天线连接到集成电路,天线采集能量后为集成电路供电。
进一步地,所述射频能源采集天线与集成电路之间还设有乘法电路。所述乘法电路设置在衬底外部或者集成在衬底内。
所述P区和N区分别设有重掺杂区,重掺杂区与集成电路相连。
一种多源自供电集成电路的制备方法,包括如下步骤:
(1)在P型或N型衬底上形成多源能量采集器的PN结,在具有PN结一面的衬底上通过绝缘体钝化工艺形成抗反射层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的