[发明专利]一种测量标尺、以及制造方法和使用方法

权利要求书

1.一种测量标尺，其特征在于：位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，该测量标尺包括多个标记图形，该标记图形由阵列基板或彩膜基板的任两层图案的材料形成，通过该测量标尺目视该两层图案的线宽单边蚀刻量和该两层图案之间的重合精度的偏移值；所述测量标尺包括重叠区域不相同的多个标记图形；所述测量标尺包括与栅极线平行的X方向测量标尺和与数据线平行的Y方向测量标尺，所述Y方向测量标尺由所述X方向测量标尺顺时针旋转90度形成；所述X方向测量标尺由n个标记图形构成，其中n个标记图形的重叠区域从x至y，以t单位的递增或递减，当递增时，(x－y)/n＝t，x≥y；当递减时，(y-x)/n＝t，y≥x。

2.根据权利要求1所述的测量标尺，其特征在于：假设标记图形由第一材料和第二材料形成，并设定第一材料形成阵列基板的第一图案，第二材料形成阵列基板的第二图案，形成第一图案和第二图案在刻蚀前在掩膜版上的空间上的重叠区域在X方向上的宽度为L，其中，x≤L≤y或y≤L≤x。

3.根据权利要求2所述的测量标尺，其特征在于：根据形成标记图形的对应两层图案所对应在掩膜版上的重叠图形作对比，直接读出具体的该两层图案曝光的线宽的单边蚀刻量和该两层图案之间的重合精度的偏移值。

4.一种测量标尺的制造方法，其特征在于，该测量标尺位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，包括如下步骤：

第一步：设定与阵列基板的栅极线平行的方式为X方向，与阵列基板的数据线平行的方向为Y方向；

第二步：选定需要阵列基板或彩膜基板内需要测量的两层图案，假定分别选定第一图案和第二图案，第一图案由第一材料形成，第二图案由第二材料形成；

第三步：第一图案和第二图案在刻蚀前在掩膜版上具有在空间上的重叠区域，该重叠区域在X方向上的宽度为L；

第四步：刻蚀前在掩膜版上，第一图案设有与第二图案重叠的第一基准边和与第一基准边相对的第二基准边，第二图案设有与第一图案重叠的第三基准边和与第三基准边相对的第四基准边，所述第三基准边与第一基准边在X方向上的间距为L/2，所述第四基准边与第二基准边在X方向上的间距也为L/2；

第五步：当第一图案曝光刻蚀时：假设当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀a后，其中，a＜L/2，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第二基准边在X方向上的宽度为(L-2a)；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀L/2后，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第二基准边在X方向上的宽度为0；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀b后，其中，b＞L/2；刻蚀后，第一图案与第二图案不再具有重叠区域；

第六步：设定位于重叠区域上方的方向为正方向，位于重叠区域下方的方向为负方向，其中，所述第一基准边和第三基准边均位于正方向，所述第二基准边和第四基准边均位于负方向；

第七步：当第二图案曝光时：当第二图案先向X负方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第二基准边和第二图案的第四基准边重合；当第二图案先向X正方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第一基准边和第二图案的第三基准边重合，其中，c+d+e＝L/2；

第八步：根据上述方法得到的标记图形，再经过更改上述的数字L、a、b、c、d、e得到一系列的标记图形，将得到的一系列的标记图形按照递减或递增的方法依序排列在像素区域外形成X方向测量标尺；

第九步：将X方向测量标尺顺时针旋转90度得到Y方向测量标尺。

5.根据权利要求4所述的测量标尺的制造方法，其特征在于：第一基准边和第二基准边均位于重叠区域外，第一基准边和第二基准边均与Y方向平行，所述第三基准边和第四基准边均位于重叠区域边缘，第三基准边和第四基准边均与Y方向平行，所述第三基准边与第一基准边位于同一侧，所述第四基准边与第二基准边也位于同一侧。