[发明专利]一种测量标尺、以及制造方法和使用方法

说明书

本发明揭示一种测量标尺、及其制造方法和使用方法，本发明提供一种测量标尺，位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，该测量标尺包括多个标记图形，该标记图形由阵列基板或彩膜基板的任两层图案的材料形成，通过该测量标尺目视该两层图案的线宽单边蚀刻量和该两层图案之间的重合精度的偏移值。本发明结合阵列基板或彩膜基板上的制造过程中的图案成形机制，制造位于像素区域外的测量标尺，本发明测量标尺不采用绝对标尺进行衡量，而采用对比的方法，消除了绝对标尺本身的精度误差问题，并且可以直接读出具体的线宽单边蚀刻量和重合精度的偏移值；本发明测量标尺在蚀刻前后任何工程段均可使用，消除了量测设备误差，方便异常追踪和进行试验。

技术领域

本发明属于液晶显示面板的制造领域，尤其涉及一种用于线宽和重合精度的测量标尺、以及制造方法和使用方法。

技术背景

液晶显示面板包括贴合在一起的阵列基板和彩膜基板、以及夹设于阵列基板和彩膜基板之间的液晶，阵列基板上设有纵横交错的多个数据线和栅极线、连接在数据线和栅极线交错处的TFT开关、以及由数据线和栅极线交错形成的多个像素单元。

液晶显示面板在制造过程中，由于设备、材料以及人员的不稳定性会发生精度的偏移，相关参数与设计值的离异会导致产品出现各种各样的问题，布线和器件的尺寸以及位置精度是其中非常关键的两个因素。线宽的偏移会导致各类电特性的异常；重合精度偏移会导致图形的干涉、电场分布的改变、产生额外的寄生电容等异常。

阵列基板的生产制造线对此类要求精度较高的参数普遍采用高精度检测设备进行检测，虽然对于大批量的产品监控来说精度和稳定性较高，但是设备的精度会附加在量测结果中，并且后段没有配置专门的高精度检测设备，分断后的面板出现问题后的解析需要用到显微镜等离线设备，比较麻烦并且精度偏移较大。另外对于做实验来说，需要加入自动化系统和量产品一起排队等待量测也耗费了较多不必要的时间。

在液晶显示面板的制造工艺技术，液晶显示面板的阵列基板制造工艺似于半导体工艺在玻璃基板上有规则地做成TFT器件、像素等图案的过程，阵列基板的制造工艺包括洗净工艺、CVD成膜技术、Sputter成膜技术、光刻胶或光致抗蚀剂(简称PR)涂布、显影和剥离技术、曝光技术、湿刻技术、以及干刻技术等，以5层薄膜图案的工艺为例，一般，阵列基板的制造工艺根据成膜的先后顺序依次分为形成栅极层相关图案的G工程、形成TFT沟道用硅岛图案的I工程、形成源极层相关的图案的D工程、形成接触孔图案的C工程、以及形成像素电极图案的PI工程，每形成一层薄膜图案，就需要一张MASK(掩膜版)，故5层薄膜图案的工艺称为5MASK工艺。

曝光是光刻工艺中的重要环节，曝光工艺实现了MASK上的图形向PR的转写，PR形成图形后，对下面的膜层进行相应刻蚀，膜层上就形成图形。曝光工艺在PR涂布后，用带有图像的MASK对玻璃基板形成选择性UV(紫外)照射，PR显影后，MASK上的图案被转写到PR层上，在膜层刻蚀、PR剥离后，PR层上的图案被撰写到膜层上，膜层上就形成了与MASK上相同的图案，以上就是曝光的过程。

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用对比方法、消除绝对标尺本身的精度误差问题、通过直接读出具体的线宽单边刻蚀量和重合精度的偏移量的测量标尺、以及制造方法和使用方法。

本发明提供一种测量标尺，位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，该测量标尺包括多个标记图形，该标记图形由阵列基板或彩膜基板的任两层图案的材料形成，通过该测量标尺目视该两层图案的线宽单边蚀刻量和该两层图案之间的重合精度的偏移值。