[发明专利]移位寄存单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存单元，包括上拉节点、下拉节点、低电平信号端、第二时钟信号端和下拉模块，所述第二时钟信号端在所述移位寄存单元的输入子阶段和下拉子阶段向所述下拉节点提供高电平信号，所述下拉模块分别与所述上拉节点、所述下拉节点、所述移位寄存单元的输出端和所述低电平信号端相连，其特征在于，所述移位寄存单元还包括放电模块，所述放电模块分别与所述下拉节点和所述低电平信号端相连，用于在所述输入子阶段将所述下拉节点与所述低电平信号端导通，并且在所述输入子阶段和下拉子阶段，所述下拉节点的电位能够使得所述下拉模块将所述上拉节点和所述移位寄存单元的输出端均与所述低电平信号端导通。

2.根据权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述下拉模块包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第一下拉晶体管的第一极与所述上拉节点相连，所述第二下拉晶体管的第一极与所述移位寄存单元的输出端相连，所述第一下拉晶体管的栅极和所述第二下拉晶体管的栅极均与所述下拉节点相连，所述第一下拉晶体管的第二极和所述第二下拉晶体管的第二极均与所述低电平信号端相连，

所述放电模块还与所述移位寄存单元的输入端和所述上拉节点中的至少一者相连，当所述移位寄存单元的输入端和所述上拉节点中与所述放电模块相连的至少一者向所述放电模块提供高电平信号时，所述放电模块能够将所述下拉节点和所述低电平信号端导通。

3.根据权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述放电模块包括第一放电晶体管和第二放电晶体管，所述第一放电晶体管的栅极与所述移位寄存单元的输入端相连，所述第二放电晶体管的栅极与所述上拉节点相连，所述第一放电晶体管的第一极和所述第二放电晶体管的第一极均与所述下拉节点相连，所述第一放电晶体管的第二极和所述第二放电晶体管的第二极均与所述低电平信号端相连。

4.根据权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述移位寄存单元还包括具有内阻的下拉节点充电模块，所述下拉节点充电模块的输入端与所述第二时钟信号端相连，所述下拉节点充电模块的输出端与所述下拉节点相连。

5.根据权利要求4所述的移位寄存单元，其特征在于，所述下拉节点充电模块包括充电晶体管，所述充电晶体管的栅极和第一极相连并形成为所述下拉节点充电模块的输入端，所述充电晶体管的第二极形成为所述下拉节点充电模块的输出端。

6.根据权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述移位寄存单元还包括上拉模块和第一时钟信号端，所述上拉模块的第一端与所述上拉节点相连，所述上拉模块的第二端与第一时钟信号端相连，所述上拉模块的第三端与所述移位寄存单元的输出端相连，当所述上拉模块的第一端接收到高电平信号时，所述上拉模块的第二端和第三端之间能够导通，

在所述输入子阶段之后的输出子阶段，所述第一时钟信号端输入高电平信号，所述上拉节点与所述移位寄存单元的输出端之间设置有存储模块，以使所述上拉节点与所述移位寄存单元的输出端之间的电压在所述输入子阶段和所述输出子阶段相同。

7.根据权利要求6所述的移位寄存单元，其特征在于，所述上拉模块包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，所述第一上拉晶体管的栅极和第二上拉晶体管的栅极相连并形成所述上拉模块的第一端，所述第一上拉晶体管的第一极和所述第二上拉晶体管的第一极相连并形成所述上拉模块的第二端，所述第一上拉晶体管的第二极和所述第二上拉晶体管的第二极相连并形成所述上拉模块的第三端；

所述存储模块包括：所述第一上拉晶体管的栅极和第二极之间形成的耦合电容以及所述第二上拉晶体管的栅极和第二极之间形成的耦合电容。

8.根据权利要求7所述的移位寄存单元，其特征在于，所述存储模块还包括存储电容，所述存储电容的第一端与所述上拉节点相连，所述存储电容的第二端与所述移位寄存单元的输出端相连。

9.根据权利要求1所述的移位寄存单元，其特征在于，所述移位寄存单元还包括输入模块，所述输入模块分别与所述移位寄存单元的输入端和所述上拉节点相连，用于在输入子阶段对所述上拉节点充电。

10.根据权利要求9所述的移位寄存单元，其特征在于，所述输入模块包括输入晶体管，所述输入晶体管的栅极和第一极均与所述移位寄存单元的输入端相连，所述输入晶体管的第二极与所述上拉节点相连。