[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 201510983384.8 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN105742155A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 三浦淳靖;泽崎尚树 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
基板保持单元,将基板水平地保持;
二流体喷嘴,将有机溶剂与气体混合来生成所述有机溶剂的液滴,将生成的所述有机溶剂的所述液滴向所述基板的上表面排出;
有机溶剂供给单元,用于向所述二流体喷嘴供给所述有机溶剂;
气体供给单元,用于向所述二流体喷嘴供给所述气体;
控制单元,控制所述有机溶剂供给单元及所述气体供给单元;
所述控制单元执行液滴排出工序和液膜形成工序,
在所述液滴排出工序中,从所述二流体喷嘴向所述基板的上表面内的规定排出区域排出所述有机溶剂的所述液滴;
所述液膜形成工序在所述液滴排出工序之前执行,在所述液膜形成工序中,向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂,从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂,以在所述基板的上表面形成覆盖所述排出区域的所述有机溶剂的液膜。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
基板旋转单元,用于使所述基板绕铅直的旋转轴线旋转;
所述控制单元包括控制所述基板旋转单元的单元;
所述控制单元与所述液滴排出工序并行地还执行使所述基板绕所述旋转轴线旋转的第一旋转工序。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
第三有机溶剂供给单元,用于向所述基板的上表面供给所述有机溶剂;
所述控制单元还包括控制所述第三有机溶剂供给单元的单元;
所述控制单元在所述液滴排出工序之后执行向所述基板的上表面供给所述有机溶剂的后供给工序。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制单元与所述后供给工序并行地还执行使所述基板以比所述第一旋转工序时高的速度绕所述旋转轴线旋转的第二旋转工序。
5.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第三有机溶剂供给单元包括所述第一有机溶剂供给单元;
所述控制单元向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂,从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂,来执行所述后供给工序。
6.如权利要求1~5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
第一保护构件及第二保护构件,包围所述基板保持单元的周围,设置为各自能够独立地升降;以及
保护构件升降单元,用于使所述第一保护构件及所述第二保护构件单独地升降;
所述控制单元还包括控制所述升降单元的单元;
所述控制单元与所述液滴排出工序并行地使所述第一保护构件与所述基板的周端面相向;
所述控制单元还执行干燥工序和相向保护构件变更工序,
在所述干燥工序中,向所述基板的上表面不供给所述有机溶剂而使所述基板绕所述旋转轴线旋转,由此使所述基板的上表面干燥,
所述相向保护构件变更工序在所述液滴排出工序结束后并且在所述干燥工序执行之前,将与所述基板的周端面相向的保护构件从所述第一保护构件变更为所述第二保护构件。
7.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
有机溶剂喷嘴,用于向所述基板的上表面排出所述有机溶剂;
第四有机溶剂供给单元,用于向所述有机溶剂喷嘴供给所述有机溶剂;
喷嘴移动单元,使所述二流体喷嘴及所述有机溶剂喷嘴一边将所述二流体喷嘴与所述有机溶剂喷嘴的位置关系保持为恒定一边移动,使得所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动;
所述控制单元还包括控制所述喷嘴移动单元的单元;
所述控制单元还执行排出区域移动工序和附加有机溶剂供给工序,
在所述排出区域移动工序中使所述排出区域的位置在所述基板的上表面内移动,
在所述附加有机溶剂供给工序中,与所述排出区域移动工序并行地向所述排出区域的行进方向的后方位置供给所述有机溶剂;
所述附加有机溶剂供给工序不向所述排出区域的行进方向的前方位置供给所述有机溶剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造