[发明专利]一种纳米箔带连接碳化硅陶瓷基复合材料与金属的工艺有效
| 申请号： | 201510983407.5 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105585328B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈波;熊华平;李文文;任海水 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 100095*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 纳米箔 陶瓷基复合材料 焊料 碳化硅陶瓷 复合材料 带连接 碳化硅陶瓷复合材料 焊接制造技术 耐热冲击能力 高温连接 加工性能 扩散连接 连接工艺 耐高温 焊接 陶瓷 | ||
1.一种纳米箔带连接碳化硅陶瓷基复合材料与金属的工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：首先，制备纳米级厚度的Ti金属层和Al金属层，两者交替叠加形成箔带；其次，以箔带作为焊料，将其置于被焊接的SiC陶瓷基复合材料与被焊金属之间，采用真空扩散焊或者真空-氩气条件下的热压烧结方法，温度为1000℃～1200℃，压力为10MPa～30MPa，实现碳化硅陶瓷基复合材料与金属的连接；箔带中每个金属层的厚度为15nm～100nm，总厚度为30μm～100μm。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述的热压烧结为热压放电等离子烧结，反应时间为3～10分钟。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述的SiC陶瓷基复合材料包括SiC陶瓷、C
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述金属包括Nb合金、Mo合金、TiAl金属间化合物或Ti-Al-Nb系合金。
5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于：所述Mo合金为TZM合金。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：真空扩散焊或者真空-氩气条件下的热压烧结反应时间为3～60分钟。
7.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于：当金属为TiAl金属间化合物或Ti-Al-Nb系合金时，对于碳化硅陶瓷基复合材料与TiAl金属间化合物、Ti-Al-Nb系合金的连接，在碳化硅陶瓷基复合材料与金属之间插入Nb合金或者Mo合金作为中间过渡层，然后在这个中间过渡层的两侧都置入Ti/Al纳米箔带，进行连接。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的工艺，其特征在于：该工艺还可以用于C/C复合材料与金属之间的连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航空工业集团公司北京航空材料研究院，未经中国航空工业集团公司北京航空材料研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510983407.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：剥标机
- 下一篇：一种用于制备聚酯粒子的水下切粒机
