[发明专利]一种PtBi2单晶及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201510988764.0 申请日: 2015-12-24
公开(公告)号: CN105568377B 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 许祝安;杨小军;曹光旱 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C30B29/10 分类号: C30B29/10;C30B9/10;H01L43/08;H01L43/10
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 ptbi sub 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种PtBi2单晶,该晶体为六方晶系,其空间群为P-3,晶胞参数为:α=β=90°,γ=120°,晶胞体积为:2.3×10-28m3

2.一种制备权利要求1所述的PtBi2单晶的方法,包括如下步骤:

1)将Pt和Bi以摩尔比1:7.5~8.5在氩气气氛中进行研磨,得到混合粉末;

2)将上述混合粉末置于真空容器中,在温度1223~1323K下煅烧500~700min;

3)然后降温至823~923K,离心得到PtBi2单晶;所述的降温速度为2.4~3.6K/h。

3.根据权利要求2所述的制备PtBi2单晶的方法,其特征在于,所述的Pt和Bi为单质粉末,单质粉末的粒径小于10μm。

4.根据权利要求3所述的制备PtBi2单晶的方法,其特征在于,所述的研磨时间为20~40min。

5.根据权利要求2所述的制备PtBi2单晶的方法,其特征在于,所述的真空容器为真空石英管。

6.根据权利要求5所述的制备PtBi2单晶的方法,其特征在于,所述的真空度不大于0.1Pa。

7.根据权利要求2或6所述的制备PtBi2单晶的方法,其特征在于,所述的步骤2)中煅烧的升温速度为0.8~1.2K/min。

8.一种如权利要求1所述的PtBi2单晶作为巨磁电阻材料的应用。

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