[发明专利]一种半导体纳米多晶硅制备方法在审
申请号: | 201510990619.6 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN105609405A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 黄宗波 | 申请(专利权)人: | 重庆乐乎科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 401320 重庆市巴*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 纳米 多晶 制备 方法 | ||
1.一种半导体纳米多晶硅制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜;
在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥,并溅射钛钨金;
利用光刻法将电阻的两个端头露出,其余地方用光刻胶遮挡;
以钛钨金为底金,进行电镀金;
去掉光刻胶,腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金,并进行清洗;
将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。
2.根据权利要求1所述一种半导体纳米多晶硅制备方法,其特征在于, 所述采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜步骤的具体实现如下:
采用低压力化学气相沉积法,在400~600℃温度条件下淀积多晶硅薄 膜。
3.根据权利要求1所述一种半导体纳米多晶硅制备方法,其特征在于, 所述以钛钨金为底金,进行电镀金步骤的具体实现如下:
以钛钨金为底金,进行电镀金,厚度为2~4μm。
4.根据权利要求1所述一种半导体纳米多晶硅制备方法,其特征在于, 所述将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅步骤的具 体实现如下:
将半导体多晶硅在氮气环境、400~550℃温度条件下退火20~60min得 到半导体桥多晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造