[发明专利]一种半导体纳米多晶硅制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种半导体纳米多晶硅制备 方法。

背景技术

半导体桥火工品具有电阻负温度特性、边缘汽化效应、硅熔化时电阻率 突降、低熔点和电离等优点，已成为火工品首选器件，广泛应用于火箭、卫 星、飞船、飞行员救生以及民用工程爆破、火药动力等装置。多晶硅半导体 桥是半导体桥中性价比最好的一种，是各国公司重点开发的产品。但是，多 晶硅半导体桥加工中，多晶硅淀积的颗粒、厚度、掺杂等对多晶硅半导体桥 的性能影响非常严重。多晶硅厚度太厚会产生龟裂现象，颗粒不均匀会影响 多晶硅汽化产生等离子体的时间和临界电流。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种方法简单、易操作，获得的桥多 晶硅颗粒均匀、掺杂浓度高，电阻变化小，性能更加稳定的半导体桥多晶硅 制备方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种半导体纳米多晶硅制备 方法，包括如下步骤：

采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；

在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；

利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；

以钛钨金为底金，进行电镀金；

去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；

将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜步骤的具体实 现如下：

采用低压力化学气相沉积法，在400～600℃温度条件下淀积多晶硅薄 膜。

进一步，所述以钛钨金为底金，进行电镀金步骤的具体实现如下：

以钛钨金为底金，进行电镀金，厚度为2～4μm。

进一步，所述将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶 硅步骤的具体实现如下：

将半导体多晶硅在氮气环境、400～550℃温度条件下退火20～60min得 到半导体桥多晶硅。

本发明的有益效果是：

1.方法简单、易操作；

2.获得的桥多晶硅颗粒均匀、掺杂浓度高，电阻变化小，性能更加稳定。

附图说明

图1为本发明一种半导体纳米多晶硅制备方法流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本 发明，并非用于限定本发明的范围。

如图1所示，一种半导体纳米多晶硅制备方法，包括如下步骤：

采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；

在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；

利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；

以钛钨金为底金，进行电镀金；

去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；

将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。

实施例1：

采用低压力化学气相沉积法，在400℃温度条件下淀积多晶硅薄膜；在 多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端 头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金，厚度为2 μm；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导 体多晶硅在氮气环境、400℃温度条件下退火20min得到半导体桥多晶硅。

实施例2：

采用低压力化学气相沉积法，在500℃温度条件下淀积多晶硅薄膜；在 多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端 头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金，厚度为3 μm；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导 体多晶硅在氮气环境、450℃温度条件下退火30min得到半导体桥多晶硅。

实施例3：

采用低压力化学气相沉积法，在600℃温度条件下淀积多晶硅薄膜；在 多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端 头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金，厚度为4 μm；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导 体多晶硅在氮气环境、550℃温度条件下退火60min得到半导体桥多晶硅。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明 的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发 明的保护范围之内。