[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510991115.6 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN106920837B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张新;李巍;彭强;苏醒;王荣华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
以衬底和外延层形成漏区；
形成至少两条多晶硅平面栅以及形成连接在任意相邻两条所述多晶硅平面栅之间的至少一个多晶硅平面桥，以作为栅区；
以所述多晶硅平面栅和多晶硅平面桥作为掩蔽，对所述外延层进行掺杂，以形成多个阱区；
形成源区；
所述多晶硅平面桥在所述多晶硅平面栅延伸方向上的尺寸小于所述多晶硅平面栅在所述多晶硅平面桥的延伸方向上的尺寸；所述多晶硅平面桥下方形成的所述阱区是连接起来的，且所述多晶硅平面桥下方形成的所述阱区比在所述多晶硅平面栅下方形成的所述阱区浅。
2.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件制作方法，其特征在于，所述多晶硅平面桥的桥中心区域为条形、圆形或多边形。
3.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件制作方法，其特征在于，所述阱区为P阱区。
4.一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件，包括：漏区、源区和栅区，其特征在于，所述栅区包括：
至少两条多晶硅平面栅，以及连接在任意相邻两条所述多晶硅平面栅之间的至少一个多晶硅平面桥；
以所述多晶硅平面栅和多晶硅平面桥作为掩蔽对外延层进行掺杂后形成的多个阱区；
所述多晶硅平面桥在所述多晶硅平面栅延伸方向上的尺寸小于所述多晶硅平面栅在所述多晶硅平面桥的延伸方向上的尺寸；所述多晶硅平面桥下方形成的所述阱区是连接起来的，且所述多晶硅平面桥下方形成的所述阱区比在所述多晶硅平面栅下方形成的所述阱区浅。
5.根据权利要求4所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述多晶硅平面桥的桥中心区域为条形、圆形或多边形。
6.根据权利要求4所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述阱区为P阱区。
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