[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510993428.5 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105590964B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
在绝缘表面上并与所述绝缘表面直接接触的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上并与所述绝缘表面直接接触的绝缘层，所述绝缘层包括从所述绝缘层的顶表面到底表面形成的开口；
在所述开口中的与所述氧化物半导体层电接触的电极；
与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；
覆盖所述栅电极的侧表面的侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层由第一层形成，并且所述绝缘层由与所述第一层不同的第二层形成；以及
所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，
其中所述电极与所述侧壁绝缘层直接接触，并且
其中所述电极与所述绝缘表面的顶部区域直接接触且覆盖所述绝缘表面的所述顶部区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极设置在所述氧化物半导体层之上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层设置在所述栅电极之上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包含铟和锌。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层具有高于所述第一导电层的电阻，并且
其中所述第二导电层与所述氧化物半导体层直接接触。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二导电层的厚度为5nm以上且15nm以下。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二导电层包含金属氮化物。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述栅电极在所述氧化物半导体层之上，并且
其中所述绝缘层覆盖所述栅电极。
9.一种半导体装置，包括：
在绝缘表面上并与所述绝缘表面直接接触的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上并与所述绝缘表面直接接触的绝缘层，所述绝缘层包括均从所述绝缘层的顶表面到底表面形成的第一开口和第二开口；
第一电极和第二电极，均与所述氧化物半导体层电接触，并且分别完全填充所述第一开口和所述第二开口；
与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；
覆盖所述栅电极的两个侧表面的侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层由第一层形成，并且所述绝缘层由与所述第一层不同的第二层形成；以及
所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，
其中所述第一电极和所述第二电极中的每一个均与所述侧壁绝缘层中的一个直接接触，并且
其中所述第一电极和所述第二电极与所述绝缘表面的顶部区域直接接触且覆盖所述绝缘表面的所述顶部区域。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述栅电极设置在所述氧化物半导体层之上。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层设置在所述栅电极之上。
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包含铟和锌。
13.根据权利要求9所述的半导体装置，
其中所述第一电极和所述第二电极中的每一个均包括第一导电层和第二导电层，所述第二导电层具有高于所述第一导电层的电阻，并且
其中所述第二导电层与所述氧化物半导体层直接接触。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第二导电层的厚度为5nm以上且15nm以下。
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第二导电层包含金属氮化物。
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