[发明专利]半导体装置

说明书

本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

本分案申请是基于申请号为2011800052763，申请日为2011年1月13日，发明名称为“半导体装置”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的技术领域涉及一种半导体装置。在此，半导体装置是指通过利用半导体特性工作的所有元件及装置。

背景技术

金属氧化物的种类繁多且用途广。氧化铟是公知的材料，并已经被用作液晶显示装置等所需的透明电极材料。

在金属氧化物中存在呈现半导体特性的金属氧化物。作为呈现半导体特性的金属氧化物，例如可以举出氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等，并且已知一种将这种金属氧化物用作沟道形成区的薄膜晶体管(例如，参照专利文献1至专利文献4、非专利文献1等)。

另外，作为金属氧化物，不仅已知一元氧化物，而且还已知多元氧化物。例如，作为具有In、Ga及Zn的多元氧化物半导体，具有同源相(homologous phase)的InGaO₃(ZnO)_m(m为自然数)是周知的(例如，参照非专利文献2至4等)。

并且，已经确认到可以将包括上述那样的In-Ga-Zn类氧化物的氧化物半导体也应用于薄膜晶体管的沟道形成区(例如，参照专利文献5、非专利文献5及6等)。

[专利文献1]日本专利申请公开昭60-198861号公报

[专利文献2]日本专利申请公开平8-264794号公报

[专利文献3]PCT国际申请日本公表平11-505377号公报

[专利文献4]日本专利申请公开2000-150900号公报

[专利文献5]日本专利申请公开2004-103957号公报

[非专利文献1]M.W.Prins,K.O.Grosse-Holz,G.Muller,J.F.M.Cillessen,J.B.Giesbers,R.P.Weening,and R.M.Wolf,A ferroelectric transparent thin-filmtransistor(铁电透明薄膜晶体管),Appl.Phys.Lett.(应用物理通信),17June 1996,Vol.68p.3650-3652

[非专利文献2]M.Nakamura,N.Kimizuka,and T.Mohri,The Phase Relationsin the In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO System at 1350℃(1350℃下In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO系中的相关系),J.Solid State Chem.(固态物理化学),1991,Vol.93,p.298-315