[发明专利]存储器及其编程控制方法和编程上拉电路

权利要求书

1.一种存储器的编程上拉电路，所述存储器包括编程控制电路及存储阵列，所述存储阵列包括M列存储单元，其特征在于，所述编程上拉电路包括：与存储阵列中各列存储单元一一对应的编程上拉单元；所述编程上拉单元包括至少两个串联连接的薄栅氧晶体管，且所述编程上拉单元第一端与电源电压输入端耦接，第二端与控制电压输入端耦接，第三端与所述存储阵列中的对应列存储单元耦接；其中，所述控制电压输入端适于根据所述编程控制电路的输出的位线选中操作信号，向所述编程上拉单元的第二端提供控制电压，所述编程上拉单元适于在所述控制电压输入端输入的控制电压的控制下，向对应列存储单元提供上拉电压。

2.如权利要求1所述的存储器的编程上拉电路，其特征在于，所述编程上拉单元包括：第一晶体管及与所述第一晶体管串联连接的第二晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述控制电压输入端耦接，漏极与所述第二晶体管的源极耦接，源极与所述存储阵列中对应列存储单元耦接；所述第二晶体管的漏极与所述电源电压输入端耦接，栅极与各所述编程上拉单元的第二晶体管的栅极连接。

3.如权利要求2所述的存储器的编程上拉电路，其特征在于，所述第一晶体管及第二晶体管均为PMOS管。

4.如权利要求2所述的存储器的编程上拉电路，其特征在于，还包括：偏置单元，与所述编程上拉单元耦接，适于为所述编程上拉单元中的各薄栅氧晶体管提供偏置电流。

5.如权利要求4所述的存储器的编程上拉电路，其特征在于，所述偏置单元包括：串联连接的第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及电流计；其中，所述第三晶体管的栅极与各所述编程上拉单元中第二晶体管的栅极连接，漏极与所述电源电压输入端连接，源极与所述第四晶体管的漏极连接；所述第四晶体管的栅极与各所述编程上拉单元中第一晶体管的栅极以及所述控制电压输入端连接，源极与所述第五晶体管的源极连接；所述第五晶体管的栅极与栅极电压输入端连接，漏极经所述电流计接地。

6.如权利要求5所述的存储器的编程上拉电路，其特征在于，所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管均为薄栅氧晶体管。

7.如权利要求1所述的存储器的编程上拉电路，其特征在于，还包括：控制电压输入电路，与所述编程上拉单元耦接，适于向所述编程上拉单元提供控制电压。

8.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的存储器的编程上拉电路。

9.一种适于权利要求8所述的存储器的编程控制方法，其特征在于，包括：

检测所述编程控制电路是否输出位线选中操作信号；

当所述编程控制电路输出所述位线选中操作信号时，控制所述控制电压输入端向所选中的位线对应的编程上拉单元输出预设电压，以对所述所选中的位线对应的存储单元进行编程操作。