[发明专利]全背极太阳电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种全背极太阳电池结构，其特征在于，它包括：

电池衬底(1)；

隧穿钝化层(2)，所述隧穿钝化层(2)设置在电池衬底(1)的背面上；

多晶硅层，所述多晶硅层设置在隧穿钝化层(2)的下表面上，并且所述多晶硅层具有并列设置的N型重掺杂多晶硅层(31)和P型多晶硅层(32)。

2.根据权利要求1所述的全背极太阳电池结构，其特征在于：还包括电极层，电极层设置在多晶硅层的下表面上，并且所述电极层具有与N型重掺杂多晶硅层(31)接触的负电极(41)以及与P型多晶硅层(32)接触的正电极(42)，并且相邻的负电极(41)和正电极(42)之间设置有局部钝化保护层(5)，所述局部钝化保护层(5)设置在N型重掺杂多晶硅层(31)和P型多晶硅层(32)下层的金属接触部位之间。

3.根据权利要求1或2所述的全背极太阳电池结构，其特征在于：还包括正面结构，所述正面结构包括由内至外依次设置在电池衬底(1)正面的前表面场(6)、正面钝化层(7)和减反射层(8)。

4.根据权利要求3所述的全背极太阳电池结构，其特征在于：所述减反射层(8)为SiN_x薄膜或SiO₂薄膜或SiN_x/SiO₂叠层薄膜；和/或所述正面钝化层(7)为Al₂O₃薄膜或Al₂O₃/SiN_x叠层薄膜；和/或所述前表面场(6)为具有正面场效应作用层。

5.根据权利要求2所述的全背极太阳电池结构，其特征在于：所述局部钝化保护层(5)为绝缘胶薄膜或SiN_x薄膜或SiO₂薄膜。

6.根据权利要求1所述的全背极太阳电池结构，其特征在于：所述隧穿钝化层(2)为SiO₂薄膜或MoO_x薄膜或Al₂O₃薄膜。

7.根据权利要求1所述的全背极太阳电池结构，其特征在于：所述隧穿钝化层(2)的厚度小于2nm。

8.一种如权利要求1至7中任一项所述的全背极太阳电池结构的制备方法，其特征在于该方法在电池衬底背面制备的步骤如下：

(a)将电池衬底(1)的背面单面抛光；

(b)在电池衬底(1)的背面制备隧穿钝化层(2)；

(c)在隧穿钝化层(2)的下表面制备多晶硅层；

(d)将多晶硅层进行硼扩散处理，然后局部磷扩散处理，形成并列设置的N型重掺杂多晶硅层(31)和P型多晶硅层(32)；

(e)去除步骤(d)中背面形成的硼硅玻璃和磷硅玻璃以及电池衬底1正面制备过程中形成的正面保护层；

(f)钝化处理；

(g)在多晶硅层的下表面制备电极层，使所述电极层具有与N型重掺杂多晶硅层(31)接触的负电极(41)以及与P型多晶硅层(32)接触的正电极(42)；

(h)在相邻的负电极(41)和正电极(42)之间制备局部钝化保护层(5)，确保所述局部钝化保护层(5)设置在N型重掺杂多晶硅层(31)和P型多晶硅层(32)下层的金属接触部位之间。