[发明专利]晶圆片级芯片封装凸点的返工方法有效

专利信息
申请号: 201510994374.4 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105609434A 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 钱泳亮 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 孟阿妮;郭栋梁
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆片级 芯片 封装 返工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)去除凸点:使用第一湿法蚀刻液进行凸点溶解,形成表面焊锡附着残留;

(2)去除表面焊锡附着残留:去除表面焊锡附着残留后裸露出凸块焊盘和钝化层,所述凸块焊盘的下方设有IMC,Intermetalliccompound合金层;

(3)去除凸块焊盘和IMC合金层;

(4)去除钝化层:得到的晶圆片为重新分布层的再布线状态。

2.根据权利要求1所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述凸块焊盘为铜层。

3.根据权利要求2所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述步骤(3)还包括:通过第二湿法蚀刻液进行凸块焊盘的铜蚀刻,IMC合金层同时一起被剥离掉。

4.根据权利要求1所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述第二湿法蚀刻液为醋酸与双氧水的混合液。

5.根据权利要求4所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述醋酸与双氧水的体积比为1:2。

6.根据权利要求1所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述步骤(2)中通过无线电频率反溅射去除表面焊锡附着残留。

7.根据权利要求1所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述步骤(4)中通过灰化工艺进行干法蚀刻去除14层。

8.根据权利要求1-7任一项所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述第一湿法蚀刻液为硝酸、甲基环酸和水的混合液。

9.根据权利要求8所述的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法,其特征在于,所述第一湿法蚀刻液包括以下质量百分含量的物质:10%~15%硝酸、60%~70%甲基环酸、其余为纯水。

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