[发明专利]晶圆片级芯片封装凸点的返工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆封装领域，具体涉及一种晶圆片级芯片封装凸点的返工 方法。

背景技术

近年来，晶圆片级芯片封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称 WLCSP)工艺应用广泛，此种工艺封装后的芯片体积即等同IC(integrated circuit，集成电路)裸晶的原尺寸，不仅明显地缩小内存模块尺寸，而符合 行动装置对于机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了 数据传输的速度与稳定性。为了实现WLCSP工艺，在工艺流程中都是整张 晶圆进行封装和测试，最后才切割成一个个的IC颗粒。然而整张晶圆进行封 装异常报废风险就会很高，如图1所示，bump(凸点)爆锡、桥接、变形就 是其中一种高风险异常。其中凸点11发生了该类异常，已经无法满足SMT (SurfaceMountTechnology，表面贴装技术)组装工艺需求。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面 的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不 是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目 的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前 序。

本发明实施例的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供一种使晶圆不造 成报废和不具有较大的良率损失的晶圆片级芯片封装凸点的返工方法。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案是：

一种晶圆片级芯片封装凸点的返工方法，包括以下步骤：

(1)去除凸点：使用第一湿法蚀刻液进行凸点溶解，形成表面焊锡附 着残留；

(2)去除表面焊锡附着残留：去除表面焊锡附着残留后裸露出凸块焊 盘和钝化层，所述凸块焊盘的下方设有IMC，Intermetalliccompound合金层；

(3)去除凸块焊盘和IMC合金层；

(4)去除钝化层：得到的晶圆片为重新分布层的再布线状态。

所述凸块焊盘为铜层。

所述步骤(3)还包括：通过第二湿法蚀刻液进行凸块焊盘的铜蚀刻， IMC合金层同时一起被剥离掉。

所述第二湿法蚀刻液为醋酸与双氧水的混合液。

所述醋酸与双氧水的体积比为1:2。

所述步骤(2)中通过RF，RadioFrequency无线电频率反溅射去除表面 焊锡附着残留。

所述步骤(4)中通过灰化工艺进行干法蚀刻去除钝化层。

所述第一湿法蚀刻液为硝酸、甲基环酸和水的混合液。

所述第一湿法蚀刻液包括以下质量百分含量的物质：10％～15％硝酸、 60％～70％甲基环酸、其余为纯水。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

为了使晶圆不造成报废和不具有较大的良率损失，本发明的工艺方法可 以使用蚀刻技术将bump进行去除，并将wafer(晶圆片)恢复到RDL再布 线状态，最终重新开始加工流程。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的带有凸点的晶圆片级芯片封装的结构示意 图；

图2为本发明实施例提供的表面具有焊锡附着残留的晶圆片级芯片封装 的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的去除表面焊锡附着残留的晶圆片级芯片封装 的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的去除凸块焊盘和IMC合金层的晶圆片级芯 片封装的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的恢复到RDL再布线状态的晶圆片级芯片封 装的结构示意图。

附图标记：

1-凸点；12-凸块焊盘；13-IMC合金层；14-钝化层；15-重新分布层；16- 焊锡附着残留。

具体实施方式