[发明专利]静电防护电路及其二极管触发保持可控硅整流器在审
申请号: | 201510998358.2 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN106920792A | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 朱瑞;陈晓峰;李建峰 | 申请(专利权)人: | 大唐恩智浦半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 226400 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 防护 电路 及其 二极管 触发 保持 可控 硅整流器 | ||
1.一种用于静电防护的二极管触发保持可控硅整流器,具有阳极端和阴极端且包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、二极管、第一二极管串以及第二二极管串,该第一二极管串的阳极连接该二极管触发保持可控硅整流器的阳极端,该第一二极管串的阴极连接该第一三极管的发射极,该第一电阻和该二极管连接在该第一三极管的发射极和基极之间,该第二三极管的集电极连接该第一三极管的基极,该第二三极管的基极连接该第一三极管的集电极,该第二三极管的发射极连接该二极管触发保持可控硅整流器的阴极端,该第二电阻连接该第二三极管的基极和该二极管触发保持可控硅整流器的阴极端,该第二二极管串的阳极连接该第一三极管的基极,该第二二极管串的阴极连接该二极管触发保持可控硅整流器的阴极端。
2.如权利要求1所述的二极管触发保持可控硅整流器,其特征在于,该二极管触发保持可控硅整流器的触发电压和保持电压均随该第一二极管串的二极管数目增加而增加。
3.如权利要求1所述的二极管触发保持可控硅整流器,其特征在于,该二极管触发保持可控硅整流器的触发电压随该第二二极管串的二极管数目增加而增加。
4.如权利要求1所述的二极管触发保持可控硅整流器,其特征在于,该第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、二极管组成可控硅的等效电路,其中该二极管是该可控硅的阳极两端口的寄生二极管。
5.一种静电防护电路,包括如权利要求1-4任一项所述的二极管触发保持可控硅整流器,该二极管触发保持可控硅整流器连接在两电压端之间。
6.如权利要求5所述的静电防护电路,其特征在于,还包括二极管,连接在输入/输出端口与该电压端之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的