[发明专利]半导体层结构与制备方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种半导体层结构，包括：

绝缘衬底；及

位于该绝缘衬底上的半导体层，该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案，该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间，该第一半导体层图案及该第二半导体层图案均呈“n”形并横跨在该源极信号接入端子及该漏极信号接入端子之间，该第一半导体层图案包括两个第一主体部及一个连接两个第一主体部的第一连接部，其中一个第一主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第一连接部连接，另外一个第一主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第一连接部连接，该第二半导体层图案包括两个第二主体部及一个连接两个第二主体部的第二连接部，其中一个第二主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第二连接部连接，另外一个第二主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第二连接部连接。

2.如权利要求1所述的半导体层结构，其特征在于，该半导体层结构还包括位于该半导体层与该绝缘衬底之间缓冲层。

3.如权利要求1所述的半导体层结构，其特征在于，该两个第一主体部与该两个第二主体部平行，该第一连接部与该第二连接部平行。

4.如权利要求1所述的半导体层结构，其特征在于，该绝缘衬底为玻璃衬底。

5.一种薄膜晶体管，其包括如权利要求1至4任意一项所述的半导体层结构。

6.一种半导体层结构制备方法，包括如下步骤：

提供一个绝缘衬底；及

在该绝缘衬底上形成半导体层，该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案，该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间；该第一半导体层图案及该第二半导体层图案均呈“n”形并横跨在该源极信号接入端子及该漏极信号接入端子之间，该第一半导体层图案包括两个第一主体部及一个连接两个第一主体部的第一连接部，其中一个第一主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第一连接部连接，另外一个第一主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第一连接部连接，该第二半导体层图案包括两个第二主体部及一个连接两个第二主体部的第二连接部，其中一个第二主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第二连接部连接，另外一个第二主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第二连接部连接。

7.一种半导体层结构制备方法，包括如下步骤：

提供一个绝缘衬底；

在该绝缘衬底上形成一缓冲层；及

在该缓冲层上形成半导体层，该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案，该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间，该第一半导体层图案及该第二半导体层图案均呈“n”形并横跨在该源极信号接入端子及该漏极信号接入端子之间，该第一半导体层图案包括两个第一主体部及一个连接两个第一主体部的第一连接部，其中一个第一主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第一连接部连接，另外一个第一主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第一连接部连接，该第二半导体层图案包括两个第二主体部及一个连接两个第二主体部的第二连接部，其中一个第二主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第二连接部连接，另外一个第二主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第二连接部连接。