[发明专利]半导体层结构与制备方法及薄膜晶体管

说明书

本发明提供了一种半导体层结构，包括绝缘衬底及位于该绝缘衬底上的半导体层。该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案。该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间。本发明还提供了一种薄膜晶体管以及一种半导体层结构制备方法。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管中的半导体层结构、一种制备该半导体层结构的方法、以及一种具有该半导体层的薄膜晶体管。

背景技术

目前薄膜晶体管液晶显示屏(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)正向高像素/英寸(pixel per inch,ppi)方向发展，而限制高ppi发展的一大阻碍就是薄膜晶体管的充电速度。薄膜晶体管生产工艺都是形成传统的金属氧化物半导体层结构，电子在非晶硅中的迁移率为0.5-1.0，在多晶硅中的迁移率为30-300，同时工艺原因也会降低电子的迁移率。因此，设计出一种降低电阻的半导体层及薄膜晶体管以提高充电速度成为亟需解决的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体层结构，包括绝缘衬底及位于该绝缘衬底上的半导体层。该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案。该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间。

进一步地，该半导体层结构还包括位于该半导体层与该绝缘衬底之间缓冲层。

进一步地，该第一半导体层图案及该第二半导体层图案均呈“n”形并横跨在该源极信号接入端子及该漏极信号接入端子之间。

进一步地，该第一半导体层图案包括两个第一主体部及一个连接两个第一主体部的第一连接部，其中一个第一主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第一连接部连接，另外一个第一主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第一连接部连接，该第二半导体层图案包括两个第二主体部及一个连接两个第二主体部的第二连接部，其中一个第二主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第二连接部连接，另外一个第二主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第二连接部连接。

进一步地，该两个第一主体部与该两个第二主体部平行，该第一连接部与该第二连接部平行。

进一步地，该绝缘衬底为玻璃衬底。

一种薄膜晶体管，其包括如上所述的半导体层结构。

一种半导体层结构制备方法，包括如下步骤：提供一个绝缘衬底；在该绝缘衬底上形成半导体层，该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案，该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间。

一种半导体层结构制备方法，包括如下步骤：提供一个绝缘衬底；在该绝缘衬底上形成一缓冲层；在该缓冲层上形成半导体层，该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案，该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间。

进一步地，该第一半导体层图案包括两个第一主体部及一个连接两个第一主体部的第一连接部，其中一个第一主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第一连接部连接，另外一个第一主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第一连接部连接，该第二半导体层图案包括两个第二主体部及一个连接两个第二主体部的第二连接部，其中一个第二主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第二连接部连接，另外一个第二主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第二连接部连接。