[发明专利]功率管驱动电路及方法

权利要求书

1.一种功率管驱动电路，包括非交替逻辑控制器、第一NMOS管、第一PMOS管，其特征在于：还包括第二NMOS管、第二PMOS管和阈值检测电路；

所述非交替逻辑控制器用以依据输入的PWM信号，驱动所述第一NMOS管和第一PMOS管的栅极；

所述第一PMOS管用以依据所述非交替逻辑控制器的输入输出高电平驱动功率管的栅极；所述第一NMOS管用以依据所述非交替逻辑控制器的输入输出低电平驱动功率管的栅极；

所述阈值检测电路用以采集功率管栅极的输入电压，将其与预设的阈值比较，进而依据比较的结果驱动所述第二NMOS管和第二PMOS管的栅极；

所述第二PMOS管用以依据所述阈值检测电路的输入输出高电平驱动功率管的栅极；所述第二NMOS管用以依据所述阈值检测电路的输入输出低电平驱动功率管的栅极；

所述第一PMOS管与第二PMOS管用以通过输出高电平至所述功率管的栅极，驱动其开启；

在第一PMOS管被驱动输出高电平驱动功率管的栅极时：

所述阈值检测电路进一步用以：

若采集到的功率管栅极的电压小于一第一阈值，则驱动关断的所述第二PMOS管打开，使得所述第二PMOS管输出高电平驱动功率管的栅极；

若大于该第一阈值，则驱动所述第二PMOS管关闭；

若采集到的功率管栅极的电压到达第二阈值，则驱动所述第二PMOS管打开，使得所述第二PMOS管输出高电平驱动功率管的栅极；

所述第二阈值大于第一阈值。

2.如权利要求1所述的功率管驱动电路，其特征在于：所述第一NMOS管与第二NMOS管用以通过输出低电平至所述功率管的栅极，驱动其关闭。

3.如权利要求2所述的功率管驱动电路，其特征在于：在第一NMOS管被驱动输出低电平驱动功率管的栅极，且第二NMOS管被驱动输出低电平驱动功率管的栅极时：

所述阈值检测电路进一步用以：

若采集到的功率管栅极的电压下降至第二阈值，则驱动打开的所述第二NMOS管关断；

若小于该第一阈值，则驱动所述第二NMOS管打开，使得所述第二NMOS管输出低电平驱动功率管的栅极；

所述第二阈值大于第一阈值。

4.如权利要求1所述的功率管驱动电路，其特征在于：所述第一PMOS管的源极以及第二PMOS管的源极均连接电源，漏极连接所述功率管的栅极。

5.如权利要求1所述的功率管驱动电路，其特征在于：所述第一NMOS管的源极以及第二NMOS管的源极均接地，漏极连接所述功率管的栅极。

6.如权利要求1所述的功率管驱动电路，其特征在于：所述第二PMOS管的栅极以及第二NMOS管的栅极分别连接到所述阈值检测电路。

7.一种功率管驱动方法，其特征在于：包括如下步骤：

Step0：提供第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管；

功率管驱动打开时：

Step1：驱动第一NMOS管和第二NMOS管关断；

驱动第一PMOS管输出高电平至功率管的栅极；进入步骤Step2；

Step2：检测到所述功率管的栅极电压小于第一阈值，则驱动所述第二PMOS管输出高电平至功率管的栅极；进入步骤Step3；

Step3：检测到所述功率管的栅极电压大于第一阈值，则驱动所述第二PMOS管关断；进入步骤Step4；

Step4：检测到所述功率管的栅极电压升至第二阈值，则驱动所述第二PMOS管打开，输出高电平至功率管的栅极；

Step5：完成功率管的打开；

功率管驱动关断时：

Step6：驱动第一PMOS管和第二PMOS管关断；

驱动第一NMOS管和第二NMOS管打开，输出低电平至功率管的栅极；进入步骤Step7；

Step7：检测到所述功率管的栅极电压降至第二阈值，则驱动所述第二NMOS管关断，进入步骤Step8；

Step8：检测到所述功率管的栅极电压小于第一阈值，则驱动所述第二NMOS管输出低电平至功率管的栅极；

Step9：完成功率管的关断。