[发明专利]金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法

权利要求书

1.一种金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有伪栅极结构以及包覆所述伪栅极结构的第一介质层，所述第一介质层与所述伪栅极结构的顶表面齐平；所述伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有源漏区，所述伪栅极结构两侧具有偏移侧墙；

去除所述伪栅极结构中的伪栅极上部部分高度以形成第一凹槽，沿所述第一凹槽向两侧腐蚀所述第一介质层以扩大所述第一凹槽；

去除所述伪栅极结构中剩余伪栅极以及伪栅极绝缘层以形成第二凹槽，所述扩大的第一凹槽与第二凹槽构成“T”形凹槽；

在所述“T”形凹槽内依次填入高K栅介质层、功函数层以及金属栅；

去除所述扩大的第一凹槽内的高K栅介质层、功函数层以及金属栅，并在其内填入刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的上表面与所述第一介质层的上表面齐平，所述刻蚀阻挡层的材质与所述第一介质层的材质不同，所述刻蚀阻挡层的两端均宽于所述金属栅结构，所述刻蚀阻挡层的两端均宽于所述偏移侧墙；

至少在所述第一介质层以及刻蚀阻挡层上形成图案化的掩膜层，以所述图案化的掩膜层为掩膜干法刻蚀所述第一介质层以及刻蚀阻挡层，以在所述第一介质层内形成通孔，在所述通孔内填入导电材质以形成源漏区的接触塞。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成刻蚀阻挡层后，还在所述刻蚀阻挡层以及所述第一介质层的上表面沉积第二介质层，后在所述第二介质层上形成图案化的掩膜层，所述通孔以所述掩膜层为掩膜干法刻蚀所述第二介质层、第一介质层以及刻蚀阻挡层在所述第二介质层以及第一介质层内形成。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层分别与所述伪栅极结构、半导体衬底之间具有接触通孔刻蚀停止层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质为SiN，SiON，SiOBN，SiOCN中的至少一种，采用原子层沉积法或化学气相沉积法生成。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述伪栅极结构中伪栅极绝缘层的材质为二氧化硅，所述伪栅极的材质为掺杂或未掺杂多晶硅，去除所述伪栅极上部部分高度采用光刻、干法刻蚀实现。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为二氧化硅，沿所述第一凹槽向两侧腐蚀所述第一介质层采用HF酸实现。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高K栅介质层的材质为La₂O₃、BaZrO₃、HfZrO、HfZrON、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、BaO、TiO、Ti₂O₃、TiO₂、SrO、Al₂O₃、Si₃N₄中的至少一种，所述功函数层的材质为Ti、Al、Ti_xAl_1-x、TiC、TiAlC中的至少一种，所述金属栅的材质为钨，去除所述扩大的第一凹槽内的高K栅介质层、功函数层以及金属栅采用干法刻蚀或湿法腐蚀实现，所述干法刻蚀气体为CF₄、CHF₃、C₃F₈中的至少一种与SF₆，或CF₄、CHF₃、C₃F₈中的至少一种与Cl₂；高K栅介质层的湿法腐蚀溶液为HF酸，功函数层以及金属栅的湿法腐蚀溶液为NH₄OH与H₂O₂混合水溶液，或HCl与H₂O₂混合水溶液。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述晶体管为平面型晶体管或鳍式场效应晶体管。