[发明专利]液晶显示面板的像素构造及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201511003474.2 申请日: 2015-12-28
公开(公告)号: CN105446027A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 郝思坤 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 像素 构造 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示面板的像素构造,形成在一基板上,其包含:

一第一金属层,形成于所述基板上,包含一扫描线及一薄膜晶体管的一栅极;

一有源层,形成于所述栅极上;

一第一绝缘层,形成于所述第一金属层及所述有源层上;

一第二金属层,形成于所述绝缘层上,包含一数据线、一公共线、所述薄膜晶体管的一源极及一漏极,其中所述数据线连接所述源极;

一第二绝缘层,形成于所述第二金属层上;

一透明导电层,形成于所述第二金属层上,包含一像素电极及一公共电极;

其特征在于,所述像素构造另包含一储存电容,其包含:

一第一电容层,形成于所述像素构造的一侧边;

一第二电容层,形成在所述第一电容层的上方并包含一第一区域及一第二区域,所述第二电容层的第一区域连接所述漏极,所述第二电容层的第二区域连接所述公共线,形成所述公共线的一凸起部;

一第一过孔及一第二过孔,所述第一过孔位在所述第一电容层与所述第二电容层的第一区域交接处,所述第一过孔的一部分连接所述第一电容层,其另一部分贯穿及连接所述第二电容层的第一区域,使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接;以及所述第二过孔贯穿所述第二电容层的第二区域,使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接;及

一第三电容层,包含一第一区域及一第二区域,所述第三电容层的第一区域的一部份位所述第一过孔的上方并连接所述第一过孔,其另一部份位在所述公共线的上方,并连接所述像素电极;所述第三电容层的第二区域位在所述第二过孔的上方并连接所述第二过孔,并连接所述公共电极。

2.如权利要求1所述的像素构造,其特征在于:所述薄膜晶体管邻近所述扫描线及所述数据线。

3.如权利要求1所述的像素构造,其特征在于:所述公共线与所述数据线平行。

4.如权利要求1所述的像素构造,其特征在于:所述储存电容位于所述数据线及所述公共线之间。

5.如权利要求1所述的像素构造,其特征在于:所述第二电容层的第一区域邻近所述漏极。

6.如权利要求1所述的像素构造,其特征在于:所述像素电极由所述第三电容层的第一区域沿所述扫描线的一正方向形成多个梳状分支;所述公共电极的一部分重迭于所述扫描线的上方,其另一部分形成在相对于所述储存电容的另一侧边,并沿所述扫描线的一反方向形成多个梳状分支,所述像素电极的多个梳状分支与所述公共电极的多个梳状分支形成相互穿插对应。

7.一种液晶显示面板的像素构造的制作方法,其特征在于:其包含以下步骤:

(a)形成一第一金属层于一基板上,此步骤包含形成一扫描线、一薄膜晶体管的一栅极及一储存电容的一第一电容层;

(b)形成所述薄膜晶体管的一有源层于所述栅极上;

(c)形成一第一绝缘层于所述第一金属层及所述有源层上;

(d)形成一第二金属层于所述绝缘层上,此步骤包含形成一数据线、一公共线、所述薄膜晶体管的一源极及一漏极、及所述储存电容的一第二电容层;其中所述数据线连接所述源极;所述第二电容层形成在所述第一电容层的上方并包含一第一区域及一第二区域,所述第二电容层的第一区域连接所述漏极,所述第二电容层的第二区域连接所述公共线,形成所述公共线的一凸起部;

(e)形成所述储存电容的一第一过孔及一第二过孔,所述第一过孔位在所述第一电容层与所述第二电容层的第一区域交接处,所述第一过孔的一部分连接所述第一电容层,其另一部分贯穿及连接所述第二电容层的第一区域,使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接;以及所述第二过孔贯穿所述第二电容层的第二区域,使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接;及

(f)形成一第二绝缘层于所述第二金属层上;

(g)形成一透明导电层于所述第二金属层上,此步骤包含形成一像素电极、一公共电极及一所述储存电容的一第三电容层;所述第三电容层包含一第一区域及一第二区域,所述第三电容层的第一区域的一部份位所述第一过孔的上方并连接所述第一过孔,其另一部份位在所述公共线的上方,并连接所述像素电极;所述第三电容层的第二区域位在所述第二过孔的上方并连接所述第二过孔,并连接所述公共电极。

8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于:所述薄膜晶体管邻近所述扫描线及所述数据线;所述公共线与所述数据线平行;所述储存电容位于所述数据线及所述公共线之间。

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