[发明专利]液晶显示面板的像素构造及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种液晶显示面板的像素构造及其制作方法，特别是涉及一种具有大容量的储存电容的液晶显示面板的像素构造及其制作方法。

【背景技术】

液晶显示器(LCD)是目前使用最广泛的一种平板显示器，已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。随着液晶显示器技术的发展进步，人们对液晶显示器的显示品质、外观设计、低成本和高穿透率等提出了更高的要求。

IPS(In-PlaneSwitching，平面控制模式)广视角技术的液晶显示让观察者任何时候都只能看到液晶分子的短轴，因此在各个角度上观看的画面都不会有太大差别，这样就比较完美地改善了液晶显示器的视角。第一代IPS技术针对TN模式的弊病提出了全新的液晶排列方式，实现较好的可视角度。第二代IPS技术(S-IPS即Super-IPS)采用人字形电极，引入双畴模式，改善IPS模式在某些特定角度的灰阶逆转现象。第三代IPS技术(AS-IPS即AdvancedSuper-IPS)减小液晶分子间距离，提高开口率，获得更高亮度。

请参照图1所示，图1揭示一种现有的IPS液晶显示面板的像素构造的示意图。一种现有的IPS液晶显示面板由面板上的多条扫描线及数据线横直交叉定义出一像素构造100的范围，像素的长方向设为纵方向，并且像素采用人字形电极，所述像素构造100主要包含一扫描线110、一数据线120、一薄膜晶体管130、一公共线140、一像素电极150及一公共电极160。另外，所述像素构造100还包含一储存电容170，所述储存电容170设于所述公共线140上，但由于现有的IPS液晶显示面板采用的一条数据线120对应一条扫描线110的方式，因此数据驱动芯片的数量无法减少，并且由于所述储存电容170的容量过小，因液晶显示面板上的寄生电容而产生穿通效应(Feedthrough)，造成面板显示不良的现象。

因此，有必要提供一种液晶显示面板的像素构造及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的主要目的是提供一种液晶显示面板的像素构造及其制作方法，其采用三栅极(Tri-gate)架构，在制作过程中可以同时形成一薄膜晶体管及一储存电容。所述储存电容的主要储存电容的部分还包含一公共线的下方的区域，因此可大幅度增加所述储存电容的容量，可以减小因液晶显示面板上的寄生电容而产生穿通效应(Feedthrough)，改善面板显示质量，并且因为数据线与像素电极之间的寄生电容减小了，也能同时改善面板的串扰(Crosstalk)现象。

为达上述目的，本发明提供一种液晶显示面板的像素构造，形成在一基板上，其包含：

一第一金属层，形成于所述基板上，包含一扫描线及一薄膜晶体管的一栅极；

一有源层，形成于所述栅极上；

一第一绝缘层，形成于所述第一金属层及所述有源层上；

一第二金属层，形成于所述绝缘层上，包含一数据线、一公共线、所述薄膜晶体管的一源极及一漏极，其中所述数据线连接所述源极；

一第二绝缘层，形成于所述第二金属层上；及

一透明导电层，形成于所述第二金属层上，包含一像素电极及一公共电极；

所述像素构造另包含一储存电容，其包含：

一第一电容层，形成于所述像素构造的一侧边；

一第二电容层，形成在所述第一电容层的上方并包含一第一区域及一第二区域，所述第二电容层的第一区域连接所述漏极，所述第二电容层的第二区域连接所述公共线，形成所述公共线的一凸起部；

一第一过孔及一第二过孔，所述第一过孔位在所述第一电容层与所述第二电容层的第一区域交接处，所述第一过孔的一部分连接所述第一电容层，其另一部分贯穿及连接所述第二电容层的第一区域，使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接；以及所述第二过孔贯穿所述第二电容层的第二区域，使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接；及

一第三电容层，包含一第一区域及一第二区域，所述第三电容层的第一区域的一部份位所述第一过孔的上方并连接所述第一过孔，其另一部份位在所述公共线的上方，并连接所述像素电极；所述第三电容层的第二区域位在所述第二过孔的上方并连接所述第二过孔，并连接所述公共电极。

在本发明的一实施例中，所述薄膜晶体管邻近所述扫描线及所述数据线。

在本发明的一实施例中，所述公共线与所述数据线平行。

在本发明的一实施例中，所述储存电容位于所述数据线及所述公共线之间。