[发明专利]一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201511004179.9 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN105514382A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 高云智;马刊;杨春霞;付传凯 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 高媛
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 sio 覆层 负极 材料 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述方法步骤如下:

一、将硅烷偶联剂水解处理12~15h;

二、将纳米硅粉于水/乙醇混合溶液中超声0.3~2h,得到纳米硅粉混合溶液;

三、将步骤一水解后的硅烷偶联剂与步骤二的纳米硅粉混合溶液混合,惰性气体气氛下回流升温反应,控制硅烷偶联剂的质量分数为纳米硅粉的5~50%,回流温度为80~120℃,回流时间为5~10h;

四、将步骤三获得的混合溶液离心洗涤、真空干燥,得到具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料;

五、将步骤四得到的具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料在惰性气氛下烧结处理,得到具有SiO包覆层的硅基负极材料,其可应用于锂离子电池中。

2.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述步骤一中,水解后的硅烷偶联剂的pH=4.0~4.5。

3.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述硅烷偶联剂为γ-(2,3-环氧丙烷)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷中的一种。

4.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述硅粉的粒径区间范围在30~100nm之间。

5.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述水/乙醇混合溶液中无水乙醇和蒸馏水的体积比为9:1。

6.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述真空干燥温度为80~120℃,时间为10~12h。

7.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述烧结温度为400~600℃,烧结时间为3~5h。

8.权利要求1-7任一权利要求所述方法制备的具有SiO包覆层的硅基负极材料在锂离子电池中的应用。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511004179.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top