[发明专利]一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法及应用在审
申请号: | 201511004179.9 | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN105514382A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 高云智;马刊;杨春霞;付传凯 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 sio 覆层 负极 材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述方法步骤如下:
一、将硅烷偶联剂水解处理12~15h;
二、将纳米硅粉于水/乙醇混合溶液中超声0.3~2h,得到纳米硅粉混合溶液;
三、将步骤一水解后的硅烷偶联剂与步骤二的纳米硅粉混合溶液混合,惰性气体气氛下回流升温反应,控制硅烷偶联剂的质量分数为纳米硅粉的5~50%,回流温度为80~120℃,回流时间为5~10h;
四、将步骤三获得的混合溶液离心洗涤、真空干燥,得到具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料;
五、将步骤四得到的具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料在惰性气氛下烧结处理,得到具有SiO包覆层的硅基负极材料,其可应用于锂离子电池中。
2.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述步骤一中,水解后的硅烷偶联剂的pH=4.0~4.5。
3.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述硅烷偶联剂为γ-(2,3-环氧丙烷)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷中的一种。
4.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述硅粉的粒径区间范围在30~100nm之间。
5.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述水/乙醇混合溶液中无水乙醇和蒸馏水的体积比为9:1。
6.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述真空干燥温度为80~120℃,时间为10~12h。
7.根据权利要求1所述的具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,其特征在于所述烧结温度为400~600℃,烧结时间为3~5h。
8.权利要求1-7任一权利要求所述方法制备的具有SiO包覆层的硅基负极材料在锂离子电池中的应用。
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