[发明专利]一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法及应用在审
申请号: | 201511004179.9 | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN105514382A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 高云智;马刊;杨春霞;付传凯 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 sio 覆层 负极 材料 制备 方法 应用 | ||
技术领域
本发明属于锂离子电池负极材料及电化学应用技术领域,涉及一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法及应用。
背景技术
二次电池现已被广泛应用于便携式消费电子设备,且目前也已逐步开始应用于电动汽车方向。它们同样也被认定为非常具有吸引力的储能设备。这其中,锂离子电池(LIBs)因具有高的能量密度、良好的循环寿命以及高的动力性能获得了很大的瞩目。目前的锂离子电池多采用石墨材料作为负极,但其理论比容量仅为372mAh/g,这严重限制了电池的发展。
目前,硅基材料作为锂离子电池的负极材料受到了很大的关注。硅有着最高的质量比容量(4200mAh/g,Li4.4Si)和最高的体积比容量(9786mAh/cm3);除此之外,它还有着相对较低的嵌锂电位(0.4VvsLi+/Li);硅同样还是地壳中第二丰富的元素。然而,硅基负极材料有着很差的容量保持能力和快速的容量衰减。这主要是因为其在脱嵌锂过程中有着很大的体积变化(体积膨胀率高达420%),从而导致材料粉化,同时会伴随着不断有新的SEI膜的生成。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法及应用,通过对基底硅材料表面的偶联剂层进行烧结处理,从而解决由于体积膨胀而导致的循环稳定性差的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法,以纳米硅粉作为基底,在其上修饰一层硅烷偶联剂,而后对其进行烧结处理,具体步骤如下:
一、将硅烷偶联剂水解处理12~15h(溶液呈pH4.0~4.5的弱酸性),使偶联剂中与硅原子相连的化学键发生水解,生成羟基。
二、将纳米硅粉于水/乙醇混合溶液中超声0.3~2h,得到纳米硅粉混合溶液。
三、将步骤一水解后的硅烷偶联剂与步骤二的纳米硅粉混合溶液混合,惰性气体气氛下回流升温反应,控制硅烷偶联剂的质量分数为纳米硅粉的5~50%,回流温度为80~120℃,回流时间为5~10h。
四、将步骤三获得的混合溶液离心洗涤、真空干燥,得到具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料。
五、将步骤四得到的具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料在惰性气氛下烧结处理,得到具有SiO包覆层的硅基负极材料,其可应用于锂离子电池中。
本发明中,硅粉的粒径区间范围在30~100nm之间。
本发明中,硅烷偶联剂可以为γ-(2,3-环氧丙烷)丙基三甲氧基硅烷(KH560)、乙烯基三甲氧基硅烷(A-171)、十二烷基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷等偶联剂中的一种。
本发明中,用于调节pH值的药品为草酸、醋酸。
本发明中,水/乙醇混合溶液中无水乙醇和蒸馏水的体积比为9:1。
本发明中,真空干燥温度为80~120℃,时间为10~12h。
本发明中,烧结温度为400~600℃,烧结时间为3~5h。
本发明具有以下优点:
1、纳米硅表面修饰一层SiO层,可以有效的抑制硅负极材料在循环过程因脱嵌锂而造成的粉化现象,从而提高电池的循环寿命,进一步满足新能源领域的要求。
2、本发明所制备的SiO包覆层较其他氧化物包覆层而言,不仅可以提高硅基材料的循环稳定性,而且其本身也具有较高的理论比容量。
3、本发明所采取的制备工艺简便可行、成本低廉,适于大规模生产。
4、本发明相较于传统的石墨负极,其容量有很大的提升,可满足动力电池的需求。
附图说明
图1为γ-(2,3-环氧丙烷)丙基三甲氧基硅烷改性前后纳米硅的红外对比图;
图2为烧结后的纳米硅的XRD图;
图3为烧结后纳米硅的循环曲线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步的说明,但并不局限于此,凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的保护范围中。
实施例1:
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